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Semiconductor Spintronics Heterostructure Electronic Devices

Semiconductor Spintronics Heterostructure Electronic Devices
半导体自旋电子学异质结构电子器件
批准号：
14076207
负责人：
TANAKA Masaaki
金额：
$27.52万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2002
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2002 至 2005
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14076207/
关键词：
SpintronicsElectronic deviceHeterostructureTunneling magnetoresistanceSpin MOSFETGeFeGeMnGaMnAsMnAs微粒子スピン依存伝導共鳴トンネル効果デルタドープ選択ドープヘテロ構造強磁性転移温度強磁性半導体磁気抵抗効果ヘテロ構造電子デバイス強磁性トンネル接合キャリアスピン電子スピントロニクスデバイスMn

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We have developed a variety of spintronic heterostructures, Mn-delta-doped GaAs/p-AlGaAs with high Curie temperatures, GaMnAs/AlAs magnetic tunnel junctions with a single AlAs barrier and double AlAs barriers exhibiting clear TMR and resonant tunneling, a new group-IV based ferromagnetic semiconductor GeFe, proposed a new spin transistor (spin MOSFET) and, reconfigurable logic devices. These studies have contributed to the advance of spintronic heterostructure materials and devices, and increased the freedom of design and controllability.
期刊论文(105)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Precipitation of Amorphous Ferromagnetic Semiconductor Phase in Epitaxially Grown Mn-doped Ge Thin Film
外延生长的Mn掺杂Ge薄膜中非晶铁磁半导体相的沉淀
DOI： --
发表时间： 2005
期刊： Japanese Journal of Applied Physics (Express Letter) 44
影响因子： --
作者： [S.Sugahara, K.L.Lee, S.Yada, M.Tanaka]
通讯作者： M.Tanaka
S.Sugahara, M.Tanaka: "Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs/AlAs/MnAs Magnetic Tunnel Junctions on Exact (III)B GaAs Substrates : the Effect of a Ultrathin GaAs Buffer Layer"Journal of Crystal Growth. 251. 317-322 (2003)
S.Sugahara、M.Tanaka：“精确 (III)B GaAs 衬底上 MnAs/AlAs/MnAs 磁隧道结的外延生长和磁性特性：超薄 GaAs 缓冲层的影响”晶体生长杂志。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using half-metallic-ferromagnet contacts for the source and drain
DOI： 10.1063/1.1689403
发表时间： 2004-03-29
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Sugahara, S, Tanaka, M]
通讯作者： Tanaka, M
S.Sugahara, M.Tanaka: "Tunneling Magnetoresistance in Fully Epitaxial MnAs/AlAs/MnAs Ferromagnetic Tunnel Junctions Grown on Vicinal GaAs(111)B Substrates"Applied Physics Letters. Vol.80. 1969-1972 (2002)
S.Sugahara、M.Tanaka：“在邻位 GaAs(111)B 衬底上生长的全外延 MnAs/AlAs/MnAs 铁磁隧道结中的隧道磁阻”应用物理快报。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 33 条
    Semiconductor Materials and Devices with Nonvolatile and Reconfigurable Functions
    • 批准号：
      23000010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
    • 资助金额：
      $345.03万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TANAKA Masaaki
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Development of high quality ferromagnetic tunnel barrier and realization of tunneling spin filter devices
    • 批准号：
      22740223
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      TANAKA Masaaki
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    Realization of tunneling-spin filter devices using MgO(001) substrates
    • 批准号：
      20840023
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
    • 资助金额：
      $2.1万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      TANAKA Masaaki
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    Clarification for the central regulation of physical fatigue
    • 批准号：
      20500581
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      TANAKA Masaaki
    • 依托单位：
      Osaka City University
    海外基金