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Semiconductor Materials and Devices with Nonvolatile and Reconfigurable Functions
具有非易失性和可重构功能的半导体材料和器件
基本信息
- 批准号：23000010
- 负责人：
- 金额：$ 345.03万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2015
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Identification of impurity band and valence band in GaMnAs by tunneling anisotropic magnetoresistance spectroscopy
隧道各向异性磁阻光谱识别GaMnAs中的杂质带和价带
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Iriya Muneta;Toshiki Kanaki;Shinobu Ohya;and Masaaki Tanaka
- 通讯作者：and Masaaki Tanaka
Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In, Fe) As thin films
应变铁磁半导体（In、Fe）As薄膜中应变、量子限制和铁磁性之间的相互作用
- DOI：10.1063/1.4870970
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Daisuke Sasaki;Le Duc Anh;Pham Nam Hai;Masaaki Tanaka
- 通讯作者：Masaaki Tanaka
Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge_<1-x>Mn_x Grown on Ge (111)
Ge (111) 上生长的单晶铁磁合金半导体 Ge_<1-x>Mn_x
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shinsuke Yada;Ryohei Okazaki;Shinobu Ohya;Masaaki Tanaka
- 通讯作者：Masaaki Tanaka
Valence-band structure of (III,Mn)As ferromagnetic semiconductors
(III,Mn)As铁磁半导体的价带结构
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Ohya;et al.
- 通讯作者：et al.
(Ga,Fe)Sb: a new p-type ferromagnetic semiconductor
(Ga,Fe)Sb：新型p型铁磁半导体
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nguyen Thanh Tu;Pham Nam Hai;Le Duc Anh;and Masaaki Tanaka
- 通讯作者：and Masaaki Tanaka
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{{ truncateString('TANAKA Masaaki', 18)}}的其他基金
Development of high quality ferromagnetic tunnel barrier and realization of tunneling spin filter devices
高质量铁磁隧道势垒的研制及隧道自旋过滤器件的实现
- 批准号：
22740223 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Realization of tunneling-spin filter devices using MgO(001) substrates
使用 MgO(001) 衬底实现隧道自旋滤波器器件
- 批准号：
20840023 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
Clarification for the central regulation of physical fatigue
阐明身体疲劳的中枢调节
- 批准号：
20500581 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Semiconductor Spintronics Heterostructure Electronic Devices
半导体自旋电子学异质结构电子器件
- 批准号：
14076207 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Semiconductor-baaed magneto-photonic crystals and their applications
半导体磁光子晶体及其应用
- 批准号：
14205003 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Ferromagnet/Semiconductor Hybrid Materials : Epitaxial Growth and Applications
铁磁体/半导体混合材料：外延生长和应用
- 批准号：
11694131 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Band-engineering using III-V based ferromagnetic semiconductors and its application to magneto-optical devices
使用III-V族铁磁半导体的能带工程及其在磁光器件中的应用
- 批准号：
11305023 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Epitaxial Growth and Applications of New Dissimilar Heterostructures
新型异种异质结构的外延生长及其应用
- 批准号：
08044120 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for international Scientific Research
Growth and properties of III-V-semiconductor/ferromagnet hybrid materials system (GaAs : Mn)
III-V族半导体/铁磁体混合材料系统（GaAs：Mn）的生长和性能
- 批准号：
08455006 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A study of the real time predicting method of typhoon wind damages
台风风害实时预测方法研究
- 批准号：
07408009 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
強磁性半導体を含む複合ヘテロ構造を用いた次世代不揮発性論理デバイスの実現
使用包含铁磁半导体的复合异质结构实现下一代非易失性逻辑器件
- 批准号：
20J13006 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ＩＶ族強磁性半導体の物性機能の解明とスピン依存伝導素子への応用
IV族铁磁半导体的物理性质和功能的阐明及其在自旋相关传导器件中的应用
- 批准号：
16J08275 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study of mechanism of ferromagnetism in magnetic semiconductor and application to fabrication of magnetic nanostructure by spin-polarized STM
磁性半导体铁磁性机理研究及其在自旋极化STM制备磁性纳米结构中的应用
- 批准号：
16K04874 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ＦｅベースＩＩＩ－Ｖ族強磁性半導体によるスピントロニクス材料とデバイスの研究
Fe基III-V铁磁半导体自旋电子材料与器件研究
- 批准号：
15F15362 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強磁性・反強磁性半導体を用いた超高速スピントロニクスに関する研究
利用铁磁和反铁磁半导体的超快自旋电子学研究
- 批准号：
15J01672 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of electrical probing of magnetic properties for magnetic semiconductor spintronics
磁性半导体自旋电子学磁特性电探测的发展
- 批准号：
15K04656 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強磁性半導体ＧａＭｎＡｓにおけるバンド構造と強磁性
铁磁半导体 GaMnAs 的能带结构和铁磁性
- 批准号：
13J08851 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study of mechanism of ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor and fabrication of magnetic structure in nanoscale by STM
稀磁半导体铁磁性机理研究及STM纳米级磁结构制备
- 批准号：
25870103 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
磁性強誘電体/シリコン系希薄磁性半導体へテロ接合における電界効果スピン制御
磁性铁电/硅基稀磁半导体异质结中的场效应自旋控制
- 批准号：
09J10629 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
新しいIV族強磁性半導体の創製・物性制御・デバイス応用
新型IV族铁磁半导体的制备、物性控制及器件应用
- 批准号：
07J03440 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 345.03万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows