不飽和有機ケイ素およびゲルマニウムの気相イオン反応の研究

不饱和有机硅与锗的气相离子反应研究

基本信息

  • 批准号:
    11120230
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

有機化学では,炭素間に二重結合をもつ化合物は普通に存在しているが,ケイ素原子との間に二重結合を持つシレン化合物の合成・単離は容易ではない。しかし,通常の条件下では単離や構造解析が困難であるような化学種でも,質量分析計内のような高真空中では,孤立イオンとして検出可能な比較的長い寿命をもつことがある。本研究の目的は,ケイ素多重結合をもつ不飽和ケイ素イオンを質量分析計内で生成させ,その構造と反応性を確かめることである。Bis(silacyclopropane)のフェニル誘導体[1]およびメチル誘導体[2]のEIMSについて,ケイ素三重結合をもつと期待された[M―C_<12>H_<24>]^<+・>イオンの生成機構と,このイオンからの分解過程を,MS/MS法およびB^2/Eリンク走査法によって確かめた。MS/MSの測定結果から,[1]のm/z210のイオンからは,m/z181が生成することがわかった。これは,C_<12>H_<10>Si_2^<+・>からのSiH脱離であり,StilbeneからCH_3脱離する分解反応と類似していた。このイオンは,さらにC_6H_4を脱離して,C_6H_5Si^+(m/z105)を生成した。M/z105イオンの生成については,この他にm/z210から直接に生成する経路と,m/z210からC_6H_6が離脱したm/z132のイオンを経由して生成する経路が検出された。[2]の高分解MS/MSの結果から,m/z86イオンの97%は,C_2H_6Si_2^<+・>で,C_2H_6Si_2^<+・>イオンからは、m/z71([m/z86-CH_3]^+)とm/z43(CH_3Si^+)が生成していることがわかった。
Organic chemistry, carbon atoms, double bonds, compound synthesis, separation, etc. Under normal conditions, it is difficult to analyze the structure of a single particle, and it is difficult to analyze the chemical species in a mass analyzer. In a high vacuum, it is possible to isolate a single particle and compare its long life. The purpose of this study is to determine the structure and properties of multiple combinations of unsaturable elements in mass analysis. Bis(silacyclopropane) is a triple-binding <12>molecule of Bis (silacyclopropane). The <24>mechanism of formation and decomposition of Bis (silacyclopropane) is studied by MS/MS method. MS/MS measurement results,[1] m/z210 and m/z181 are generated. C_<12>H_<10>Si_2^&lt;+·&gt; C_6H_5Si ^+(m/z 105) was formed in the process of dissociation of C_6H_4. M/z105 and m/z210 are directly generated by the circuit, m/z210 and C_6H_6 are separated by m/z132 and m/z210 is directly generated by the circuit. [2]The results of MS/MS analysis show that m/z86 is 97%, C_2H_6Si_2 ^&lt;+·&gt; is 97%, C_2H_6Si_2 ^&lt;+·&gt; is 97%, m/z71([m/z86-CH_3]^+) is 97%, C_2H_6Si_2 ^&lt;+·&gt; is 97%, m/z71([m/z86-CH_3]^+) is 97%, C_2H_6Si_2 ^&lt;+·&gt; is 97%.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Takae Takeuchi: "An ab initio molecular orbital study of the electron affinity of boron clusters"Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 153. 298-301 (1999)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Takaomi Matsutani: "Deposition of silicon carbide films using ECR plasma of methylsilane"Adv. Appl. Plasma Sci.. 2. 147-152 (1999)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Takae Takeuchi: "Effect of charge on ion-solid interaction at the surface of two-dimensional materials"Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 148. 132-136 (1999)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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知道了