Optimierung des Wachstums organischer Halbleiterschichten auf Isolatoren für OFETs
Optimierung des Wachstums organischer Halbleiterschichten auf Isolatoren für OFETs
批准号:
5305856
负责人:
Professor Dr. Moritz Sokolowski
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2009-12-31
中文摘要
Das Projekt untersucht Wachstumsmechanismen für molekulare organische Filme(Vakuumsublimation)auf Isolatoroberflächen und optimiert diese hinsichtlich einer minimalen Dichte der lateralen Kornallizen(zwischen den Kristalliten)und der Defekte an der Organik/Isolator-Grenzfläche.因此,sollen organische Filme entwickelt韦尔登,模具最佳的为模具Herstellung organischer Feld-Effekt-Transistoren(OFFEST)在Dünschichttechnologie sind。薄膜质量的变化必须直接与电子测量仪连接,以薄膜质量为基础进行韦尔登。Mehrere neue Optimierungsansätze韦尔登verfolgt:(a)Aufbringen eines ultradünnen Flüssigkeitsfilms vor dem Wachstum der organischen Schicht,um eine ideale(stufenlose)Substratoroberfläche zu erzeugen,(B)gezieltes Absättigen von Oberflächendefekten und damit Optimierung der Keimonte,Wachstum der Filme maximum nahe am thermo-dynamischen Gleichgewicht(c)und auf Vicinalflächen(d). Methodisch韦尔登Lichtmikroskopie(Bestimmung der Kristallitgrößen),Rasterkraft-Mikroskopie(AFM),optische und elektrische Spektroskopie(IV,CV)und hochaufgelöste Elektronenbeugung(SPA-LEED)durchgeführt.
英文摘要
Das Projekt untersucht Wachstumsmechanismen für molekulare organische Filme (Vakuumsublimation) auf Isolatoroberflächen und optimiert diese hinsichtlich einer minimalen Dichte der lateralen Korngrenzen (zwischen den Kristalliten) und der Defekte an der Organik/Isolator-Grenzfläche. So sollen organische Filme entwickelt werden, die optimal für die Herstellung organischer Feld-Effekt-Transistoren (OFETs) in Dünnschichttechnologie sind. Variationen in der Filmqualität sollen direkt mit elektrischen Messungen an OFETs auf Basis dieser Filme korreliert werden. Mehrere neue Optimierungsansätze werden verfolgt: (a) Aufbringen eines ultradünnen Flüssigkeitsfilms vor dem Wachstum der organischen Schicht, um eine ideale (stufenlose) Substratoroberfläche zu erzeugen, (b) gezieltes Absättigen von Oberflächendefekten und damit Optimierung der Keimdichte, Wachstum der Filme maximal nahe am thermo-dynamischen Gleichgewicht (c) und auf Vicinalflächen (d). Methodisch werden Lichtmikroskopie (Bestimmung der Kristallitgrößen), Rasterkraft-Mikroskopie (AFM), optische und elektrische Spektroskopie (IV, CV) und hochaufgelöste Elektronenbeugung (SPA-LEED) durchgeführt.
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