Multiskalenmodellierung zum Verständnis der Facettierung und des orientierungsabhängigen Wachstums von Aluminiumnitirid-Volumenkristallen aus der Gasphase

在苏赫通von Volumenkristallen Aus der气相(升华-再凝聚)的情况下，我们的工作将会持续下去。这是一种新的贸易和投资方式，它是一种潜在的投资方式，也是一种新的投资方式。我是Vordergrund des Forschungsvorhabens stehen die ATOM istischen Vorgänge an der Oberfläche während des Kristallwachstum，deren abhänGigkeit von der Kristallaritrope and der Züchtungstemperatur，and die sich daraus ergebende Evolution des makroskopischer KristallHabus and die Aufrauung BZW.Fettierung der Oberfläche.我们的朋友们都在为他们的工作做准备。这是一种新型的机械制造方法，它是一种新型的机械制造技术，它的实验结果是：在动态有限的模型中，所有的参数都是由从头算起的，从从头算起，由蒙特卡罗模拟模拟而成。Aus den Simulationen zum Wachstum von Aln we den U.S.die kinetsche Wulff-figur Sowie ein modell zur Vorhersage der OberflächenMorology gie zum zum Jackson-modell in der Schmelzzüchtung erarbeitet.在德国的世界材料体系中，这是一种新的技术和技术。

Ziel des Projekts ist es, ein tiefgreifendes Verständnis für die Wachstumsvorgänge bei der Züchtung von Volumenkristallen aus der Gasphase (Sublimation-Rekondensation) zu entwickeln. Dies ist insbesondere für die neuartigen Halbleiter-Einkristalle mit großer Bandlücke wie AlN und SiC von Interesse, die ein großes wirtschaftliches Potential besitzen, deren Wachstumsmechanismen aber bislang nur unzureichend erforscht sind. Im Vordergrund des Forschungsvorhabens stehen die atomistischen Vorgänge an der Oberfläche während des Kristallwachstums, deren Abhängigkeit von der Kristallanisotropie und der Züchtungstemperatur, und die sich daraus ergebende Evolution des makroskopischer Kristallhabitus und die Aufrauung bzw. Facettierung der Oberfläche. Diese bestimmen wesentliche Kristalleigenschaften wie z.B. die Konzentration von Defekten im Kristall. Die dabei wirksamen Wachstumsmechanismen sollen durch die Entwicklung von Methoden zu Multiskalenmodellierung mit der Rückkopplung aus Ergebnissen von Kristallzüchtungsexperimenten erarbeitet werden. In der Modellierung des kinetisch limitierten Wachstums aus mehreren Komponenten in der Gasphase wird hierzu eine Kontinuums- Betrachtung des Wärme- und Stofftransports bei der Gasphasenzüchtung mit einem Phasenfeldmodell verknüpft, bei dem die Eingangsparameter von experimentellen Daten, ab-initio-Rechnungen und kinetischen Monte-Carlo-Simulationen abgeleitet werden können. Aus den Simulationen zum Wachstum von AlN werden u.a. die kinetische Wulff-Figur sowie ein Modell zur Vorhersage der Oberflächenmorphologie analog zum Jackson-Modell in der Schmelzzüchtung erarbeitet. Die Mehrkomponenten-Multiskalenmodellierung bildet darüber hinaus eine Grundlage für verlässliche Voraussagen in der Gasphasenzüchtung verwandter Materialsysteme wie z.B. SiC.