Alternative MOVCD-Precursoren zur Abscheidung von AlSb, GaSb und InSb

用于沉积 AlSb、GaSb 和 InSb 的替代 MOVCD 前驱体

• 批准号: 5310674
• 负责人: Professorin Dr. Katharina Kohse-Höinghaus
• 金额: --
• 依托单位: Clausius-Institut für Physikalische und Theoretische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5310674?language=en
• 关键词: Alternative; MOVCD; Precursoren; zur; Abscheidung

Das Potential der Verbindungstypen 1 - 3 hinsichtlich ihrer Eignung als Single-Source-Precursoren für die Abscheidung epitaktischer AlSb-, GaSb- und InSb-Filme soll detailliert in Kooperation mit Dr. Nigel Mason, University of Oxford, untersucht werden. Darüber hinaus sollen weitere molekulare Precursoren mit einem optimierten Ligandendesign synthetisiert werden. Ein weiteres Anliegen ist die Synthese neuer Stibane des Typs R2SbH (R = NMe2, NEt2), Sb (NHR)3 oder Sb(PR2)3 mit einem speziellen Eigenschaftsprofil: Sie sollen nach Möglichkeit bei Raumtemperatur flüssig sein, einen hohen Dampfdruck haben und sich schon unter relativ milden Bedingungen thermisch glatt zersetzen lassen, um als Sb-Quelle für CVD-Prozesse geeignet zu sein. Sie sollen anschließend gemeinsam mit Triorganoverbindungen der 13. Gruppe, z.B. Me3M, Et3M (M = Al, Ga, In) H3AlH mit einem klassischen Zweikomponenten-CVD-Prozeß zu den binären Materialien pyrolysiert werden.

1 - 3号化合物作为单一来源的AlSb-、GaSb-和InSb-薄膜外延生长前驱体的潜在优势将在韦尔登大学奈杰尔·梅森博士的合作中得到详细阐述。因此，我们需要通过一种优化的配体设计合成韦尔登来解决其他分子的前体。另一种分析方法是R2 SbH（R = NMe 2，NEt 2），Sb（NHR）3或Sb（PR 2）3型锑的合成，具有特殊的特征谱：在室温下，在流动的金属中，有一种更高的湿度，这种湿度相对较低，米尔登的热传导性更好，这是用于CVD过程的Sb-Quelle。您只需要用13号的三有机粘合剂就可以了。Gruppe，z.B. Me 3 M，Et 3 M（M = Al，Ga，In）H3 AlH采用双组分化学气相沉积（CVD）法韦尔登。

项目成果

Single source precursor-based HV-MOCVD deposition of binary group 13-antimonide thin films

基于单源前驱体的 HV-MOCVD 沉积二元 13 族锑化物薄膜

• DOI: 10.1016/j.surfcoat.2007.03.045
• 发表时间: 2007
• 期刊: Surface & Coatings Technology
• 影响因子: 5.4
• 作者: S. Schulz;D. Schuchmann;S. Fahrenholz;A. Kuczkowski;W. Assenmacher;F. Reilmann;N. Bahlawane;K. Kohse-Höinghaus
• 通讯作者: K. Kohse-Höinghaus

Tri‐tert‐butylgallane–(tert‐butyl)diethylstibine adduct

三叔丁基没食子素-(叔丁基)二乙基锑加合物

• DOI: 10.1107/s1600536807021149
• 发表时间: 2007
• 期刊: Acta Crystallographica Section E-structure Reports Online
• 影响因子: 0.9
• 作者: D. Schuchmann;S. Schulz;U. Flörke
• 通讯作者: U. Flörke

Synthesis and structural characterization of the first metal organic thallium antimonide.

第一种金属有机锑化铊的合成及结构表征

• DOI: 10.1039/b518072d
• 发表时间: 2006
• 期刊: Chemical communications
• 影响因子: 4.9
• 作者: S. Schulz;F. Thomas;M. Nieger
• 通讯作者: M. Nieger

Reactions of Group 13 Organometallics tBu3M with Distibanes Sb2R4

第 13 族有机金属化合物 tBu3M 与 Distinbanes Sb2R4 的反应

• DOI: 10.1002/ejic.200600976
• 发表时间: 2007
• 期刊: European Journal of Inorganic Chemistry
• 影响因子: 2.3
• 作者: D. Schuchmann;A. Kuczkowski;S. Fahrenholz;S. Schulz;U. Flörke
• 通讯作者: U. Flörke