Alternative MOVCD-Precursoren zur Abscheidung von AlSb, GaSb und InSb

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Das Potential der Verbindungstypen 1 - 3 hinsichtlich ihrer Eignung als Single-Source-Precursoren für die Abscheidung epitaktischer AlSb-, GaSb- und InSb-Filme soll detailliert in Kooperation mit Dr. Nigel Mason, University of Oxford, untersucht werden. Darüber hinaus sollen weitere molekulare Precursoren mit einem optimierten Ligandendesign synthetisiert werden. Ein weiteres Anliegen ist die Synthese neuer Stibane des Typs R2SbH (R = NMe2, NEt2), Sb (NHR)3 oder Sb(PR2)3 mit einem speziellen Eigenschaftsprofil: Sie sollen nach Möglichkeit bei Raumtemperatur flüssig sein, einen hohen Dampfdruck haben und sich schon unter relativ milden Bedingungen thermisch glatt zersetzen lassen, um als Sb-Quelle für CVD-Prozesse geeignet zu sein. Sie sollen anschließend gemeinsam mit Triorganoverbindungen der 13. Gruppe, z.B. Me3M, Et3M (M = Al, Ga, In) H3AlH mit einem klassischen Zweikomponenten-CVD-Prozeß zu den binären Materialien pyrolysiert werden.