Entwicklung eines abschaltbaren Hochleistungshalbleiterbauelementes mit BIMOS Struktur mittels Silizium-Silizium-Bonding-Technologie

利用硅-硅键合技术开发具有 BIMOS 结构的可切换高性能半导体组件

• 批准号: 5315470
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Rik W. De Doncker
• 金额: --
• 依托单位: Institute for Power Generation and Storage Systems (PGS)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5315470?language=en
• 关键词: Entwicklung; eines; abschaltbaren; Hochleistungshalbleiterbauelementes; mit

Ziel dieses Forschungsvorhabens ist die Entwicklung eines modernen, abschaltbaren Silizium-Hochleistungshalbleiters zum Einsatz in einem Spannungsbereich bis zu 12 kV. Es soll sich hierbei um ein Bauelement handeln, das eine Kombination einer bipolaren Struktur mit einer Feldeffektstruktur aufweist (BIMOS). Ein Beispiel für diese Bauelemente ist der MOS-TurnOff-Thyristor (MTO). Bei der Entwicklung des neuen Leistungshalbleiters soll erstmals die MOSFET-Struktur mittels Silizium-Silizium-Bonding-Technologie mit der Thyristorstruktur verbunden werden. Durch den Verzicht auf Bonddrähte ist eine drastische Reduzierung der Streuinduktivität, eine Erhöhung der Zuverlässigkeit und ein kompakteres Bauvolumen zu erwarten. Eine Optimierung dieser Bonding-Technologie hinsichtlich der Prozessparameter ist ebenfalls Bestandteil des Forschungsvorhabens. Bei der Entwicklung des integrierten Leistungshalbleiters soll weiterhin ein speziell auf dessen Anforderung ausgelegter MOSFET Chip zum Einsatz kommen, um so auch auf die zur Zeit erforderliche Parallelschaltung sehr vieler MOSFETs verzichten zu können.

Ziel dieses Forschungsvorhabens ist die Entwicklung eines modernen，abschaltbaren Silizium-Houselistungshalbleiters zum Einstein in einem Spannungsbereich bis zu 12 kV.这是一个简单的元件处理，一个双极结构与一个双极结构的组合（BIMOS）。一个用于此器件的器件是MOS可关断晶闸管（MTO）。在新材料开发中，首先应采用硅-硅-键合技术和韦尔登结构。Bonddrähte上的Dusden Verzicht ist eine drastische Reduzierung der Streuinduktivität，eine Erhöhung der Zuverlässigkeit und ein kompakteres Bauvolumen zu erwarten.键合工艺参数的优化是研究的最佳选择。Bei der Entwicklung des integrierten Leistungshalbleiters soll weiterhin ein speziell auf dessen Anforderung ausgelegter MOSFET Chip zum Einquirykommen，um auf die zur Zeit erforderliche Schaltung sehr vieler MOSFET verzichten zu können.