Modellierung und Simulation von MTO- und GTO- Thyristoren zum Einsatz im Hochspannungsbereich

Zil des Forschungsvorhabens ist die Erstellung Physikalisch basierter Modelle von Silizium-Hochleistungshalbleitern zum eatz in einem Spannungsbereich von 3 bis 10 kv.在有限元分析的基础上，建立了有限元模拟的数学模型，并给出了详细的程序。我是Gegensatz zu bekannten ansätzen zur Modellierung von Leistungshalbleitern soll so erstmals eine umfangreiche Verknüpfung von Physikalischen and schaltungstechnischen Effekten geschaffen Well den(1.and 2.Jahr)。在Einem Zweiten Schritt中，我们进行了中性模拟和模型实验。在9千伏的现实生活中，大足的电力供应很少，这是一种很好的实践，因为它是一种新的技术。这是一个非常重要的问题，因为这是一个很大的问题。

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Erstellung physikalisch basierter Modelle von Silizium-Hochleistungshalbleitern zum Einsatz in einem Spannungsbereich von 3 bis 10 kV. Diese Modelle sollen für die Anwendung in einem Schaltungssimulationsprogramm geeignet sein und auf detaillierten Untersuchungen des Bauelementverhaltens mit Hilfe einer Finite-Elemente-Analyse beruhen. Im Gegensatz zu bekannten Ansätzen zur Modellierung von Leistungshalbleitern soll so erstmals eine umfangreiche Verknüpfung von physikalischen und schaltungstechnischen Effekten geschaffen werden (1. und 2. Jahr). In einem zweiten Schritt werden die neuen Simulationsmodelle experimentell überprüft. Dazu wird eine Prüfanlage mit einer Zwischenkreisspannung von 9 kV realisiert, welche die praxisgerechte Anwendung von GTO- und MTO-Thyristoren im Hochspannungsbereich erlaubt (2. und 3. Jahr). Die verifizierten Modelle können schließlich zur Untersuchung besonderer Anwendungen im Hochspannungsbereich dienen und so zu einer Erweiterung des Grundlagenwissens beitragen (3. und 4. Jahr).