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Konzeption und Realisierung von neuartigen integrierten ETO Hochleistungsbauelementen

Konzeption und Realisierung von neuartigen integrierten ETO Hochleistungsbauelementen
新型集成ETO高性能组件的构思和实现
批准号:
129048368
负责人:
Professor Dr.-Ing. Rik W. De Doncker
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2009
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2008-12-31 至 2011-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
这一研究成果是一种最佳的、以人为基础的人力资源开发工具,它是一种Kaskodenstruktur(ETO Prinzip)的补充。大北把火口放在一个通风口上。Am Anfang des Projektes韦尔登Konzepte für die Unterbringung der erforderlichen MOSFET im Druckkontaktgehäuse untersucht.在热模拟的基础上,将电耦合作为一个Schwerpunkt,并将热耦合集成到一个集成的组件中。在一个两个小时的时间里,树木会被砍伐。Abschließend wird mit den entworfenen Leistungsschaltern eine Halbbrücke zu Testzwecken aufgebaut and damit ein Vergleich mit mountaintierenden Bauelementen,wie z.B. IGCT,IGBT和ICT,durchgeführt. Entscheidende Parameter sind dabei Stromtragfähigkeit,Abschaltfähigkeit,Schalt- und Durchlassverluste der Bauelemente,sowie Leistungsbedarf,Komplexität und Funktionalität der Treiberstufen.在项目结束时,应根据Kaskodenprinzip优化集成电路断路器(lETO)的运行状况,在Vergleich中实现最佳的Lösungen nachgewiesen。
英文摘要
Das Ziel dieses Forschungsvorhabens ist es einen optimierten thyristorbasierten Hochleistungsschalter zu entwerfen, der eine Kaskodenstruktur (ETO Prinzip) aufweist. Dabei liegt der Fokus auf der einfachen Verwendbarkeit in Umrichtern. Am Anfang des Projektes werden Konzepte für die Unterbringung der erforderlichen MOSFETs im Druckkontaktgehäuse untersucht. Neben der elektrischen Dimensionierung wird ein Schwerpunkt auf der thermischen Modellierung liegen, da die Integration eine hohe thermische Zyklenfestigkeit aller integrierten Komponenten bedingt. In einem zweiten Abschnitt wird die erforderliche Treiberstufe ausgelegt. Abschließend wird mit den entworfenen Leistungsschaltern eine Halbbrücke zu Testzwecken aufgebaut und damit ein Vergleich mit existierenden Bauelementen, wie z.B. IGCT, IGBT und ICT, durchgeführt. Entscheidende Parameter sind dabei Stromtragfähigkeit, Abschaltfähigkeit, Schalt- und Durchlassverluste der Bauelemente, sowie Leistungsbedarf, Komplexität und Funktionalität der Treiberstufen. Am Ende des Projektes steht ein auf dem Kaskodenprinzip basierender optimierter Integrierter Emitter Turn Off (lETO) Hochleistungsschalter zur Verfügung, dessen Leistungsfähigkeit im Vergleich zu bestehenden Lösungen nachgewiesen wurde.
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Entwicklung und Erprobung einer neuartigen Aufbau- und Verbindungstechnik für Leistungshalbleiter mittels Selective Laser Melting (SLM)
  • 批准号:
    217329053
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Rik W. De Doncker
  • 依托单位:
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