Konzeption und Realisierung von neuartigen integrierten ETO Hochleistungsbauelementen

这是一个很好的选择，因为它是最好的选择。在乌姆里赫特，你可以在世界上找到自己的名字。我在德国使用了一种新的MOSFETs，并将其用于生产。从现在开始，我们的生活就会变得更加融洽，我们的生活也会更加融洽。在Einem Zweiten Abschnitt将死于erforderliche Treiberstufe augelet。在Vergleich MIT Existierenen Bauelementen，Wie Z.B.IGCT，IGBT and ICT，duchgeführt.在此基础上，我们建立了一套新的技术体系，并在此基础上建立了新的技术体系。从现在起，所有的工程项目都在进行优化，优化集成发射器关闭(LETO)主发射器，使之不再是最好的选择。

Das Ziel dieses Forschungsvorhabens ist es einen optimierten thyristorbasierten Hochleistungsschalter zu entwerfen, der eine Kaskodenstruktur (ETO Prinzip) aufweist. Dabei liegt der Fokus auf der einfachen Verwendbarkeit in Umrichtern. Am Anfang des Projektes werden Konzepte für die Unterbringung der erforderlichen MOSFETs im Druckkontaktgehäuse untersucht. Neben der elektrischen Dimensionierung wird ein Schwerpunkt auf der thermischen Modellierung liegen, da die Integration eine hohe thermische Zyklenfestigkeit aller integrierten Komponenten bedingt. In einem zweiten Abschnitt wird die erforderliche Treiberstufe ausgelegt. Abschließend wird mit den entworfenen Leistungsschaltern eine Halbbrücke zu Testzwecken aufgebaut und damit ein Vergleich mit existierenden Bauelementen, wie z.B. IGCT, IGBT und ICT, durchgeführt. Entscheidende Parameter sind dabei Stromtragfähigkeit, Abschaltfähigkeit, Schalt- und Durchlassverluste der Bauelemente, sowie Leistungsbedarf, Komplexität und Funktionalität der Treiberstufen. Am Ende des Projektes steht ein auf dem Kaskodenprinzip basierender optimierter Integrierter Emitter Turn Off (lETO) Hochleistungsschalter zur Verfügung, dessen Leistungsfähigkeit im Vergleich zu bestehenden Lösungen nachgewiesen wurde.