Entwicklung und Erprobung einer neuartigen Aufbau- und Verbindungstechnik für Leistungshalbleiter mittels Selective Laser Melting (SLM)

Ziel die signikante Erhöhung von lebensdaer and Zuverlässigkeit begleichzeitiger Steigerung der Leistungsdichte and Verringerung parasitärer, elektrischer Größen von Leistungshalbleitern。采用选择性激光熔化（SLM）方法，研制了一种新型激光熔化工艺。基于有限元分析的有限元分析方法：基于有限元分析的有限元分析；基于有限元分析的有限元分析方法：基于有限元分析的有限元分析；应力beggrenzt außerdem die zulässige任意温度现代Si- oder每个sic -basier leistungshall bleiter。Desweiteren ermöglicht die angestretrete Realisierung die Integration etiven, beidseitigen k<e:1> hlung des Leistungshalbleiters。Die Leistungsfähigkeit dieses grundlegend neuen Ansatzes wind和einem原型演示。under anderem wind hiermit in Weg aus dem thetitigen Widerspruch zwischen der der Elektromobilität geforderten Zuverlässigkeit and Leistungsdichte and den Möglichkeiten beststehder Kontaktierungsverfahren augezeg。

Ziel ist die signifikante Erhöhung von Lebensdauer und Zuverlässigkeit bei gleichzeitiger Steigerung der Leistungsdichte und Verringerung parasitärer, elektrischer Größen von Leistungshalbleitern. Dies wird durch Nutzung eines generativen Fertigungsverfahrens erreicht, welches auf dem Selectiv Laser Melting (SLM) basiert. Kern des Projektes ist die Nutzung der hohen Geometriefreiheit generativer Fertigungsverfahren zur Erstellung einer Aluminiumstruktur, die den für die Zuverlässigkeit des Bauteils maßgeblichen thermo-mechanischen Stress reduziert. Dieser Stress begrenzt außerdem die zulässige Arbeitstemperatur moderner Si- oder auch SiC-basierter Leistungshalbleiter. Desweiteren ermöglicht die angestrebte Realisierung die Integration einer aktiven, beidseitigen Kühlung des Leistungshalbleiters. Die Leistungsfähigkeit dieses grundlegend neuen Ansatzes wird an einem Prototypen demonstriert. Unter anderem wird hiermit ein Weg aus dem heutigen Widerspruch zwischen der in der Elektromobilität geforderten Zuverlässigkeit und Leistungsdichte und den Möglichkeiten bestehender Kontaktierungsverfahren aufgezeigt.