Herstellung und elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen mit definierter Ordnung

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Im Rahmen dieses Projektes werden III/V-Halbleiterheterostrukturen mit definierter Ordnung bzw. Unordnung mittels der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt und durch Röntgenbeugungsverfahren (XRD) und Rasterkraftmikroskopie (AFM) auf ihre strukturellen und durch optische Spektroskopie sowie elektrischen Transportuntersuchungen auf ihre grundlegenden elektronischen Eigenschaften hin untersucht. Die erarbeitete neuartige Grenzflächenuntersuchungsmethode, die auf der Kombination höchstselektiver Ätzverfahren zur Freilegung innerer Grenzflächen mit nachfolgender Untersuchung mittels AFM beruht, soll für ein quantitatives experimentelles Verständnis der Bildung von gitterangepaßten und verspannten GaAs- bzw. (GaIn)AsHeterogrenzflächen im epitaktischen Wachstum umgesetzt werden. Diese Untersuchungen sollen zudem auf das neuartige metastabile (GaIn)(NAs)/GaAs-Materialsystem ausgedehnt werden. Die derart definiert strukturell untersuchten Proben werden zu weitergehenden Untersuchungen sowohl in der optischen Spektroskopie (Kurzzeitspektroskopie, ortsaufgelöste Spektroskopie) als auch für (Magneto-)Transportuntersuchungen eingesetzt werden, um in Wechselwirkung mit der Theorie zur Aufklärung des unordnungsbedingten Einflusses auf die optischen und elektronischen Eigenschaften in den entsprechenden Halbleiter-Nanostrukturen zu gelangen.