Herstellung und elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen mit definierter Ordnung

具有确定顺序的半导体纳米结构的制造和电子特性

• 批准号: 5327251
• 负责人: Professor Dr. Wolfgang Stolz
• 金额: --
• 依托单位: Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5327251?language=en
• 关键词: Herstellung; und; elektronische; Eigenschaften; von

Im Rahmen dieses Projektes werden III/V-Halbleiterheterostrukturen mit definierter Ordnung bzw. Unordnung mittels der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt und durch Röntgenbeugungsverfahren (XRD) und Rasterkraftmikroskopie (AFM) auf ihre strukturellen und durch optische Spektroskopie sowie elektrischen Transportuntersuchungen auf ihre grundlegenden elektronischen Eigenschaften hin untersucht. Die erarbeitete neuartige Grenzflächenuntersuchungsmethode, die auf der Kombination höchstselektiver Ätzverfahren zur Freilegung innerer Grenzflächen mit nachfolgender Untersuchung mittels AFM beruht, soll für ein quantitatives experimentelles Verständnis der Bildung von gitterangepaßten und verspannten GaAs- bzw. (GaIn)AsHeterogrenzflächen im epitaktischen Wachstum umgesetzt werden. Diese Untersuchungen sollen zudem auf das neuartige metastabile (GaIn)(NAs)/GaAs-Materialsystem ausgedehnt werden. Die derart definiert strukturell untersuchten Proben werden zu weitergehenden Untersuchungen sowohl in der optischen Spektroskopie (Kurzzeitspektroskopie, ortsaufgelöste Spektroskopie) als auch für (Magneto-)Transportuntersuchungen eingesetzt werden, um in Wechselwirkung mit der Theorie zur Aufklärung des unordnungsbedingten Einflusses auf die optischen und elektronischen Eigenschaften in den entsprechenden Halbleiter-Nanostrukturen zu gelangen.

Im Rahman Dieses Projektes is den III/V-HalbleiterHeterostrukturen MIT Definierter Ordnung BZW.Unordnung mittels der MetallOrganchen Gathasenepetaxie(MOVPE)heregellt and endch Röntgenbeugungsverfahren(XRD)and Rasterkraftmikroskopie(AFM)auf ihre strukturellen and dch opch Optische Spektroskopie Sowie elektrischen Transportunchen auf ire grundlegen en elektronchen Eigenschaften in untersuht.在此基础上，提出了一种新的实验方法和方法，并对实验结果进行了分析。研究了半导体半导体材料的亚稳态(Nas)(Nas)/GaAs材料系统磁化强度。在这种情况下，我们的目标是从最优选择和最优选择中获得最好的选择，也就是在最优选择的基础上，从最优选择和最优选择中选择最优选择。