有機トランジスターによって駆動される全有機発光ダイオードシステムの構築
有機トランジスターによって駆動される全有機発光ダイオードシステムの構築
批准号:
03F00292
负责人:
松村 道雄
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2005
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英文摘要
(1)有機トランジスター材料の合成Wang氏が中国において用いていた有機トランジスター材料を日本において合成する作業を行っている。現在、約半分の工程まで進んだところである。今後、この段階までで得られた化合物の構造を確認した上で、次の合成ステップに進めていく予定である。(2)低分子系および高分子系有機EL素子の作製と評価今後の研究の準備として、当研究室の装置と設備を用いて低分子系の有機EL素子の作製法とその評価法を習得、確立した。また、高分子系素子は、既存の導電性ポリマーを用いて、スピンコート法による素子作製とその評価法を習得、確立した。また、有機薄膜の各種の分光学的な評価法も確立した。(3)有機EL素子における透明電極の修飾とその解析当研究室においては、ITO基板の上に銅の薄膜を蒸着し、さらにプラズマ処理を施したものを電極として用いると、有機EL素子の駆動電圧を低下させる効果があることを見出していた。この効果の確認を行うとともに、その効果が現れる原因を探った。その結果、新たな知見として、構造的にナノメートルサイズの微細ワイヤーが形成されていることが確認された。このナノ構造体の解明のために、XRDおよび高分解能SEMなどの測定・観察を行い、主にCuOからなるものであること、また、条件によっては10マイクロメートル以上の長さにも成長することを見出している。得られた結果は、行っている処理がナノ構造体の簡便な作製法につながる可能性を示しており、本来の研究目的からは多少ずれてはいるが、学術的に意義深いものである。
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会议论文
触媒作用を利用したシリコンへの微細配線形成技術の開発
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批准号:20035008
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.94万
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财政年份:2008
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
触媒法によるシリコンへのナノサイズ孔・溝形成技術の開発
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批准号:19026010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2007
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
有機薄膜系太陽電池の高効率化を目指した接合構造の制御
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批准号:17029034
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.43万
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财政年份:2005
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
金属微粒子の触媒作用を利用したシリコン基板へのナノ細孔の形成
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批准号:17651059
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
有機薄膜系太陽電池の高効率化を目指した界面構造制御
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批准号:15033239
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.82万
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财政年份:2003
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
有機トランジスターによって駆動される全有機発光ダイオードシステムの構築
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批准号:03F03292
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2003
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
有機薄膜系太陽電池の高効率化を目指した界面構造制御
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批准号:14050057
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
各種薄膜作成技術を駆使した有機EL素子の作製とその特性評価
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批准号:99F00305
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2000
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
光照射による溶液中のシリコン表面の原子レベルでの構造変化
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批准号:11118248
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
光照射による溶液中のシリコン表面の原子レベルでの構造変化
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批准号:10131245
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1998
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
シリコン表面の原子レベルでの平坦化に関する電気化学的手法を用いた研究
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批准号:09875211
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
光触媒反応による亜硫酸塩水溶液からの水素発生の効率化
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批准号:60750767
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
半導体-電解質溶液界面で生じるエレクトロルミネッセンスの研究
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批准号:X00210----574174
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
湿式光電池に用いられる半導体電極の改良
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批准号:X00095----364149
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1978
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负责人:松村 道雄
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依托单位:
海外基金