中性子による核変換を利用した半導体中の不純物の微視的性質の理解と制御に関する研究

利用中子核嬗变了解和控制半导体中杂质微观性质的研究

• 批准号: 18810041
• 负责人: 山田 洋一
• 金额: $ 1.78万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18810041/
• 关键词: Si(110); 量子細線; 表面カイラリティ; 中性子ドーピング; 同位体濃縮薄膜; バリアハイト計測; STM

今年度は本研究の対象として、次世代デバイスでの利用が確実視されるSi(110)表面に着目した。研究の第一段階として本表面の清浄化手法の確立を行った。この過程で、外部直流電場を印加することで清浄表面構造の制御が可能であることを発見した。この現象を利用すると、従来複雑であったSi(110)清浄表面の構造を非常によく定義された構造に変換することが可能であることを示した。これは今後のSi(110)研究の基盤技術となるものである。さらに、今回新たに作成されたSi(110)清浄表面には、二つの有用な新規物性、(1)広大な一次元構造(2)表面カイラリティ、が発現することがわかった。(1):得られた清浄表面(16x2構造単一ドメイン)は、mmオーダーで均一な一次元構造を示すことがわかった。これほど広範囲で均一な一次元構造は極めて稀である。本構造は、上下を繰り返す一次元単原子ステップの集合体であり、量子細線等の一次元ナノ構造のテンプレートとして有用である。(2):16x2単一ドメイン構造は、表面カイラリティを有し、カイラリティ(右系、左系)の制御も可能になることがわかった。固体表面上へのカイラリティの導入は、不斉分子の不斉合成反応の不均一触媒設計において重要となる。今回作成された構造は従来報告されているものよりも広範囲でよく定義されたカイラリティを示すため、有効な実用触媒として機能する可能性がある。本発見は、今後Si(110)表面での不純物の微視的研究を含めた多岐の研究展開を可能とする。

This year, we have studied the effects of Si(110) on the surface of silicon in the next generation. The first step of the study is to establish the method of surface cleaning. This process, the external DC electric field, the control of the surface structure of the clean water can be seen. The structure of the Si(110) surface is very different from the structure of the Si(110) surface. Si(110) substrate technology for future research. The new structure is Si(110), the new structure is Si(110), and the new structure is Si (110). (1)The surface of the surface (16x2 structure) is clean and uniform. The structure of a single dimension is extremely thin. The structure is composed of an aggregate of primary atoms, quantum wires and the like. (2): 16x2 single color structure, surface color, color, color (right, left) and control possible It is important to design heterogeneous catalysts for the synthesis of organic and inorganic molecules on solid surfaces. This paper reports the possibility of using a catalyst. This paper presents the possibility for future Weishi app studies of impurities on Si(110) surfaces, including studies of multi-diversity.

项目成果

Single-Domained Si(110)-"16×2" Surface

单畴Si(110)-“16×2”表面

• 发表时间: 2007
• 作者: Y. Yamada;A. Girard;H. Asaoka;H. Yamamoto;S. Shamoto
• 通讯作者: S. Shamoto

Single-domain Si(110)-16 X 2 surface fabricated by electromigration

• DOI: 10.1103/physrevb.76.153309
• 发表时间: 2007-10-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Yamada, Yoichi;Girard, Antoine;Shamoto, Shin-ichi
• 通讯作者: Shamoto, Shin-ichi

Local Neutron Transmutation Doping using isotopically Enriched Silicon Film

使用同位素富集硅膜进行局域中子嬗变掺杂

• 期刊: Journal of Physics and Chemistry of Solids
• 影响因子: 4
• 作者: Yoichi Yamada;Hiroyuki Yamamoto;Hironori Ohba;Masato Sasase;Fumitaka Esaka;Kenji Shamoto;Atsushi Yokoyama;Kiichi Hojou
• 通讯作者: Kiichi Hojou

Controlling the surface chirality of Si(110)

• DOI: 10.1103/physrevb.77.153305
• 发表时间: 2008-04-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Yamada, Yoichi;Girard, Antoine;Shamoto, Shin-ichi
• 通讯作者: Shamoto, Shin-ichi

シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法

硅薄膜或富同位素硅薄膜的制造方法

• 发表时间: 2007