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プラズマイオン照射法による二層カーボンナノチューブ内部でのp-n接合形成

利用等离子体离子辐照法在双壁碳纳米管内部形成p-n结

基本信息

批准号：
06F06336
负责人：
畠山力三
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

1.昨年度の成果により,アルカリ塩であるヨウ化セシウム(CsI)を用いてアルカリ-ハロゲンプラズマを生成し,二層カーボンナノチューブ(DWNT)へのヨウ素(I)負イオン,セシウム(Cs)正イオンを順次照射することによって,pn接合構造を内包したDWNTの創製に成功している.本年度はさらに,フラーレン(C_<60>)とCs,C_<60>と鉄(Fe)等を内包したDWNTを作製し,その電気特性評価を行うことによって,DWNT内にpn接合が形成されていることを実証するとともに,pn接合による整流特性が大気中でも安定であることを明らかにした.2.金属特性を示すDWNTにC_<60>を内包し,そのドレイン-ソース間の電圧V_<DS>-電流I_<DS>特性を調べたところ,電圧の増加に対して電流が急激に減少する負性微分抵抗(NDR)特性が室温において観測された.このNDR特性は10〜400Kの広範囲の温度領域で観測され,さらに電流の最大値と最小値の比(山谷比)がほぼ全ての試料において10^4以上の高い値を示すことが明らかとなった.3.このNDR特性を示すC_<60>内包DWNTに390〜800nmの紫外・可視領域の光を照射することによって,電流の山谷比が増大することを初めて観測するとともに,光照射を停止することで元の状態に復元することを明らかにした.この現象は,NDR特性を光によって制御できることを示しており,ナノ光スイッチングとしての応用が期待できる.

1. Last year's results showed that the two layers of the structure were successfully created by using the negative elements of the structure (Cs) and the positive elements of the structure (I). This year, DWNT is controlled by C_(C_<60>) and Cs,C_<60>(Fe), etc., and the electrical characteristics are evaluated. The pn junction in DWNT is formed. The rectification characteristics are stable. 2. The metal characteristics are shown. DWNT <60><DS><DS>is controlled by C_(C_) and Cs, C_(Fe), etc., and the negative differential resistance (NDR) characteristics are measured at room temperature. The NDR characteristic is measured in the temperature range of 10 ~ 400K, and the ratio of the maximum value to the minimum value of the current (valley ratio) is displayed in the high temperature range of 10^4 or more. 3. The NDR characteristic is <60>displayed in the high temperature range of 390 ~ 800nm, and the ratio of the current to the valley value is displayed in the high temperature range. This phenomenon,NDR characteristics, light control, light control,

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Synthesis and Electronic-property Control of Cs-Encapsulated Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes

包覆铯单壁和双壁碳纳米管的合成及电子性能控制

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Applied Physics 102
影响因子：
0
作者：
Alexander;S.P.;and T.Tsuda;S.Alexander;S.Alexander;S.Alexander;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;R. Hatakeyama;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;T. Kaneko;R. Hatakeyama;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;R. Hatakeyama
通讯作者：
R. Hatakeyama

Photoswitching in Azafullerene Encapsulated Single-Walled Carbon Nanotube FET Devices

DOI：
10.1021/ja810086g
发表时间：
2009-03-18
期刊：
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY
影响因子：
15
作者：
Li, Yongfeng;Kaneko, Toshiro;Hatakeyama, Rikizo
通讯作者：
Hatakeyama, Rikizo

Photoinduced electron transfer in C60 encapsulated single-walled carbon nanotube

DOI：
10.1063/1.2924300
发表时间：
2008-05-05
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Li, Y. F.;Kaneko, T.;Hatakeyama, R.
通讯作者：
Hatakeyama, R.

Novel-Structured Carbon Nanotubes Creation by Nanoscopic Plasma Control

通过纳米等离子体控制制备新型结构的碳纳米管

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
Plasma Sources Science and Technology 17
影响因子：
0
作者：
富永愛子、加藤工、久保友明;他;R.Hatakeyama
通讯作者：
R.Hatakeyama

Electrical Transport Properties of Azafullerene C_<59>N Encapsulated Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes

氮杂富勒烯C_<59>N封装的单壁和双壁碳纳米管的电传输性能

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
Alexander;S.P.;and T.Tsuda;S.Alexander;S.Alexander;S.Alexander;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;R. Hatakeyama;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;T. Kaneko;R. Hatakeyama;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;R. Hatakeyama;Y.F.Li;Y.F.Li;Y.F.Li;Y.F.Li;Y.F.Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li;Y. F. Li
通讯作者：
Y. F. Li

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

畠山力三其他文献

pn-Junction Embedded Carbon Nanotube Thin Film Solar Cells

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DOI：
发表时间：
2013
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0
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加藤俊顕;畠山力三;金子俊郎;R. Hatakeyama
通讯作者：
R. Hatakeyama

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DOI：
发表时间：
2013
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影响因子：
0
作者：
加藤俊顕;畠山力三;金子俊郎;R. Hatakeyama;K. Murakoshi;R. Hatakeyama;T. Kato;S. C. Cho;Y. Abiko;金子俊郎;T. Kato;K. Murakoshi;文贊鎬
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0
作者：
加藤俊顕;畠山力三;金子俊郎;R. Hatakeyama;K. Murakoshi;R. Hatakeyama;T. Kato;S. C. Cho;Y. Abiko;金子俊郎;T. Kato;K. Murakoshi;文贊鎬;T. Kato;安彦嘉浩;T. Kaneko;T. Kaneko;T. Kaneko;T. Kato;R. Hatakeyama;文贊鎬;畠山力三;文贊鎬;T. Kaneko;Y. Abiko;高橋祥平;T. Kato
通讯作者：
T. Kato

プラズマCVDによる原子置換単層カーボンナノチューブの創製及び電気特性評価

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DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
加藤俊顕;畠山力三;金子俊郎;R. Hatakeyama;K. Murakoshi;R. Hatakeyama;T. Kato;S. C. Cho;Y. Abiko;金子俊郎;T. Kato;K. Murakoshi;文贊鎬;T. Kato;安彦嘉浩;T. Kaneko;T. Kaneko;T. Kaneko;T. Kato;R. Hatakeyama;文贊鎬;畠山力三;文贊鎬;T. Kaneko;Y. Abiko;高橋祥平;T. Kato;T. Kato;K. Murakoshi;Y. Abiko;S. C. Cho;T. Kaneko;金子俊郎;村越幸史
通讯作者：
村越幸史

Plasma-CVD-Produced Individual Single-Walled Carbon Nanotubes Standing on a Silicon-Based Flat Substrate

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DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Proceedings of the 3rd Student-Organizing International Mini-Conference on Information Electronics System (Tohoku Univ. 21st Century COE Program) SOIM-COE05
影响因子：
0
作者：
K. Terashima;et. al.;T. Kato;T. Kato;T. Kato;J. Shishido;R. Hatakeyama;T. Shimizu;T. Kato;Y.-F. Li;Y.-F. Li;J. Shishido;Toshiaki Kato;畠山力三;森尾哲治;森尾哲治;宍戸淳;Yongfeng Li;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;加藤俊顕;加藤俊顕;Rikizo Hatakeyama;Rikizo Hatakeyama;畠山力三;Genta Sato;森尾哲治;宍戸淳;宍戸淳;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;Yongfeng Li;李永峰;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Toshiaki Kato;Tetsuharu Morio;Y.F.Li;Y.F.Li;Y.F.Li;Toshiaki Kato
通讯作者：
Toshiaki Kato