n-Type Organic Transistors Using Metal Complexes
使用金属配合物的 n 型有机晶体管
基本信息
- 批准号:18350095
- 负责人:
- 金额:$ 9.96万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
有機トランジスタは、大面積な基板やフレキシブル基板などの上に、印刷のような簡単な方法で作成できる可能性から注目を集めているが、p型では良い材料がたくさんあるのに対して、n型を示す材料が少なく、かつn型有機トランジスタは通常の雰囲気下では不安定な場合が多いことが問題になっている。そこで本研究では、純有機物よりも酸化還元電位の制御しやすい金属錯体(ニッケルジチオラート錯体)用いてn型有機トランジスタを作成し、特にフッ素やトリフルオロメチル基をもった錯体において空気中に1ヶ月以上おいても動作する材料を見出した。また金属と錯体を作る強い電子受容体であるジシアノキノンジイミン(DCNQI)を用いて、空気中で安定に0.011cm^2/Vs程度の移動度を示すn型トランジスタを作成した。バルキーなt-ブチル置換したhexamethyleneTTF(HMTTF)を合成し、単結晶で2.3cm^2/Vs、薄膜で0.98cm^2/Vsという移動度(p型)を実現した。テトラチアペンタレン(TTP)系有機半導体を用いた有機トランジスタや、溶液法で0.11cm^2/Vs程度の性能を示すアルキル置換DibeozoTTF(DBTTF)を開発した。高伝導の電荷移動錯体(TTF)(TCNQ)は電極材料として優れており、低接触抵抗を示すため特にボトムコンタクト型で有用であることを明らかとした。これを用いてp型としてDBTTF、n型としてDCNQIを例に、金属電極/有機半導体の界面ポテンシャルの系統性について検討を行った。界面における低接触抵抗を示す電極材料としてカーボンを用いて、SAMsやレーザーを用いてパターニングを行った有機トランジスタの開発を行った。
Organic technology, large-area substrate substrate, printed substrateような SIMPLE じな method で で き る possibility か ら attention を set め て い る が, p type で は good いMaterial がたくさんあるのに対して, n-type を Show す material が小なく, かつn-type organic トラThis is a problem that usually arises when the situation is unstable and the situation is unstable. In this study, the acidification and reduction potential of pure organic substances was controlled by the use of n-type organic metal complexes. Made of スタを, special にフッ素やトリフルオロメチルbased をもった wrong bodyにおいて空気中に1ヶ月上おいてもactionする Materialを见出した. The metal and the electron acceptor are made of metal and are strong. , The stability in the air is 0.011cm^2/Vs, and the degree of movement is indicated by the n-type Tactile Controller.バルキーなt-ブチルsubstituted hexamethyleneTTF(HMTTF)をsynthesisし, single crystalで2.3cm^2/Vs, thin filmで0.98cm^2/VsというMobility (p type)を実presentした. Tetratronic (TTP)-based organic semiconductor is used for organic thermostats and solution method 0.11 The performance of the cm^2/Vs level is shown by the replacement of DibeozoTTF (DBTTF) by すアルキル. High-conductivity charge transfer complex (TTF) (TCNQ) and electrode material are excellent and low Contact resistance is a useful type of contact resistance. It uses p-type DBTTF, n-type DCNQI, and metal electrode/organic semiconductor interface system. Interface material, low contact resistance, electrode material, material, SAMsやレーザーを用いてパターニングを行ったorganic トランジスタの开発を行った.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M. Goto, Y. Bando, T. Shirahata, T. Mori, H. Takezoe, and K. Ishikawa
M. Goto、Y. Bando、T. Shirahata、T. Mori、H. Takezoe 和 K. Ishikawa
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kubota;T. Onuma;A. Tsukazaki;A. Ohtomo;M. Kawasaki;T. Sota;S.F. Chichibu;High Carrier Mobility in Mesophase of a Dithieno thiophene Derivative
- 通讯作者:High Carrier Mobility in Mesophase of a Dithieno thiophene Derivative
TTF Based Materials : From Exotic Organic Superconductors to Transistors
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- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Mori;T.Kawamoto;Y.Bando;H.Wada;T.Matsuzawa;T.Taguchi;M.Katsuhara;I.Aoyagi;T.Kambayashi;K.Ishikawa;H.Takezoe;S.Uji;K.Takimiya;T.Otsubo
- 通讯作者:T.Otsubo
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