Pioneer study on hetero-interfaces to realize non-classical nano-hetero-devices
Pioneer study on hetero-interfaces to realize non-classical nano-hetero-devices
批准号:
18360174
负责人:
TSUCHIYA Toshiaki
金额:
$10.26万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008
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英文摘要
ポストスケーリングデバイスとして有望視されているSiGe/SiヘテロチャネルMOSデバイスにおいて,重要なチャネル部に導入されたSiGe/Siヘテロ界面について,その電気的特性を評価する手法を開発し,電気的品質やジュール熱による安定性を明らかにした.これらの結果は,非古典的ナノヘテロデバイス実現に向けて大きな寄与をするものである.
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"High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"
“高 Ge 分数本征 SiGe 异沟道 MOSFET,具有通过原位掺杂选择性 CVD 外延生长形成的嵌入式 SiGe 源/漏电极,”
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Thin Solid Films vol. 517, no. 1
影响因子:
--
作者:
[S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota]
通讯作者:
and J. Murota
"Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs,"
“异质通道 MOSFET 中 SiGe/Si 异质界面的可靠性和不稳定性”
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota]
通讯作者:
and J. Murota
SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
SiGe/Si 异质 MOSFET 中热载流子产生异质界面态
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS. vol.126,no.9
影响因子:
--
作者:
[土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一]
通讯作者:
室田淳一
"MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究,"
“MOS器件可靠性物理和异质界面研究”
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Hirosawa, S. Usami, T.S. Usuda, and A. Ogawa, 土屋敏章]
通讯作者:
土屋敏章
"Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating,"
“焦耳热导致异质通道 MOSFET 中 SiGe/Si 异质界面的不稳定性”
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota]
通讯作者:
and J. Murota
共 8 条
Fluctuations in Interface Properties and Noise in Nano-Scaled Devices
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批准号:18063016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$34.37万
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财政年份:2006
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负责人:TSUCHIYA Toshiaki
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依托单位:
Research on extremely low-power and scaled Si-based CMOS devices making the best use of SiGe and SOI
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批准号:11450142
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.28万
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财政年份:1999
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负责人:TSUCHIYA Toshiaki
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依托单位: