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Fluctuations in Interface Properties and Noise in Nano-Scaled Devices

Fluctuations in Interface Properties and Noise in Nano-Scaled Devices
纳米级器件中界面特性和噪声的波动
批准号：
18063016
负责人：
TSUCHIYA Toshiaki
金额：
$34.37万
依托单位：
Shimane University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063016/
关键词：
マイクロ・ナノデバイス半導体超微細化電子デバイス・機器表面・界面物性SiGeヘテロ構造MOS揺らぎ界面準位雑音

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We found that charge pumping characteristics in MOSFETs depend on on-time of the gate pulse used in the measurements, and proposed an ultimate method to evaluate the fluctuation in the properties of individual interface traps. Using the method, we successfully observed the fluctuations in the number and carrier capture rate of interface traps in nanoscale MOSFETs. These results will greatly influence the advancement of the research on noise in MOS devices including clarification of the RTN mechanism.
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会议论文
Direct Observation of Fluctuation in the Carrier Capture Process of Single Interface Traps in MOSFETs
直接观察 MOSFET 中单界面陷阱的载流子捕获过程中的波动
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Hu, Y.Morimural, T.Mogami, T.Tsuchiya]
通讯作者： T.Tsuchiya
Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs
MOSFET 瞬态电荷泵浦特性中观察到的界面陷阱中载流子的捕获/发射过程
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota]
通讯作者： J. Murota
"High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"
“高 Ge 分数本征 SiGe 异沟道 MOSFET，具有通过原位掺杂选择性 CVD 外延生长形成的嵌入式 SiGe 源/漏电极，”
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Thin Solid Films vol. 517, no. 1
影响因子： --
作者： [S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota]
通讯作者： and J. Murota
Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices
异质 MOS 器件中纳米厚 SiGe/Si 异质结构中界面陷阱的定量评估
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
影响因子： --
作者： [Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota]
通讯作者： Junichi Murota
共 27 条
    Pioneer study on hetero-interfaces to realize non-classical nano-hetero-devices
    • 批准号：
      18360174
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.26万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      TSUCHIYA Toshiaki
    • 依托单位：
      Shimane University
    Research on extremely low-power and scaled Si-based CMOS devices making the best use of SiGe and SOI
    • 批准号：
      11450142
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.28万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      TSUCHIYA Toshiaki
    • 依托单位：
      Shimane University