Evaluation of Microscopic Properties and Control of Performance of Organic Field-Effect Transistors as Investigated by Electron Spin Resonance

通过电子自旋共振研究有机场效应晶体管的微观特性评估和性能控制

基本信息

  • 批准号:
    18686002
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 15.14万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

分子レベルで材料評価を行える高感度な手法である電子スピン共鳴(ESR)を、有機低分子ペンタセン、フラーレン、ルブレン単結晶などを用いた電界効果トランジスタ(FET)等に適用し、結晶粒内やデバイス界面などにおける有機低分子集合体のミクロ評価を行った。それにより、電界注入キャリアのスピン状態や波動関数等の電子状態を明らかにし、本質的な電荷輸送機構を解明すると共に、有機単結晶の半導体表面における特異的な分子再構成を発見した。
Molecular レベルでMaterial evaluation価を行えるHigh sensitivityな TechniqueであるElectronicスピンresonance( ESR), organic low molecular weight ペンタセン, フラーレン, ルブレン単crystalline It is suitable for use with electric field effect tubes (FET), etc., and within the crystal grain.デバイスInterfaceなどにおけるorganic low molecular aggregate のミクロreview価を行った.それにより, Electric Realm Injection キャリアのスピンstate and the electronic state of fluctuations such as を明らかにし, Essential な电The charge transport mechanism is the same as the common structure of the organic crystalline semiconductor surface, and the specific structure of the organic crystalline semiconductor surface is reconstructed.

项目成果

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ESR observations of field-induced polarons in regioregular poly(3-hexylth iophene) field-effect transistors
区域规则聚(3-己基噻吩)场效应晶体管中场致极化子的 ESR 观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Tanaka;M. Hamano;S. Wat anabe;S. Hirumi;M. Nakajima;K. Marumoto and S. Kuroda
  • 通讯作者:
    K. Marumoto and S. Kuroda
立体規則性ポリオクチルチオフェシ中の電場誘起ポーラロンのESR観測
立构聚辛基噻吩中电场诱导极化子的 ESR 观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H;Tanaka・N;Hasegawa・Y;Yokoi・K;Marumoto and S;Kuroda;鈴木章充・安藤志問・新美雄太・伊東裕・丸本一弘・黒田新一;伊藤圭哉・渡辺峻一郎・田中久暁・伊東裕・丸本一弘・黒田新一
  • 通讯作者:
    伊藤圭哉・渡辺峻一郎・田中久暁・伊東裕・丸本一弘・黒田新一
有機トランジスター材料の新しい特性評価法(招待講演)
有机晶体管材料表征新方法(特邀报告)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Masuda;K. Kusukame;T. Shiiyama;H. Zen;T. Kii;H. Ohgaki;K. Yoshikawa and T. Yamazaki;丸本一弘
  • 通讯作者:
    丸本一弘
「有機物半導体中の電荷 分子レベルで観察 筑波大と名大 材料開発に一役」、日経産業新聞、2006年12月28日、朝刊、全国版9頁.
“在分子水平上观察到的有机半导体中的电荷:筑波大学和名古屋大学在材料开发中发挥着作用”,《日经产业新闻》,2006 年 12 月 28 日,早间版,全国版,第 9 页。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
「解説記事 : 平成19年度 電子スピンサイエンス学会奨励賞(電子スピンサイエンス学会)「電子スピン共鳴を用いた有機デバイスのミクロ特性評価法の開発」、文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「次世代共役ポリマーの超階層制御と革新機能」 News Letter、6号12頁、2008年1月.
``解说文章:2007年电子自旋科学会鼓励奖(电子自旋科学会)``利用电子自旋共振的有机器件的微观特性评估方法的开发,文部科学省补助金-科学研究特定领域研究``下一篇“生成共轭聚合物的超层次控制和创新功能”通讯,第6期,第12页,2008年1月。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 影响因子:
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  • 作者:
    KIMURA Saho;KANEKO Yuki;MARUMOTO Kazuhiro;SUZUKI Yoshikazu
  • 通讯作者:
    SUZUKI Yoshikazu

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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