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Determination of Insulator/Si Interface Structure by Extremely Sensitive and Highly Resolved Interfacial Analyses

Determination of Insulator/Si Interface Structure by Extremely Sensitive and Highly Resolved Interfacial Analyses
通过极其灵敏和高分辨率的界面分析确定绝缘体/硅界面结构
批准号：
19360014
负责人：
HATTORI Takeo
金额：
$11.9万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360014/
关键词：
界面シリコン酸化膜シリコン窒化膜光電子分光法

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Composition and chemical structures of high quality Si-SiO_2 systems formed using oxygen radicals and those of high quality Si-Si_3N_4 systems formed using nitrogen-hydrogen radicals were studied by measuring angle-resolved photoelectron spectra arising from Si 2p and O 1s core levels and valence band with the same probing depth.
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Atomically Flat Silicon Surface and Silicon /Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs
用于 (100) 表面取向大直径晶圆的原子级平坦硅表面和硅/绝缘体界面形成技术，推出高性能和低噪声金属-绝缘体-硅 FET
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： IEEE Trans.Electron Devices Vol. 56, No. 2
影响因子： --
作者： [R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, R. Hasebe, S. Sugawa, T. Ohmi]
通讯作者： T. Ohmi
Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals
氧自由基形成的 SiO_2/Si 界面的成分跃迁和价带偏移的晶体取向依赖性
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： Applied Physics Letters Vol. 96, No. 10
影响因子： --
作者： [T. Suwa, A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, X. Li, Y. Nakao, M. Yamamoto, Y. Kato, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, T. Hattori]
通讯作者： T. Hattori
Subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals
使用氮氢自由基形成的 Si_3N_4/Si 界面处的亚氮化物和价带偏移
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Applied Physics Letters Vol. 90, No. 12
影响因子： --
作者： [M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori]
通讯作者： T. Hattori
Electric Characteristics of Si_3N_4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110)and Si(100)Surfaces
Si(110)和Si(100)表面直接自由基氮化Si_3N_4薄膜的电学特性
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Japanese Journal of Applied Physics 46
影响因子： --
作者： [一色秀夫, 牛山智幸, 中島崇之, 王興軍, 木村忠正, 竹谷純一, T. Seo, Masaaki HIGUCHI]
通讯作者： Masaaki HIGUCHI
共 30 条
    Development of High Energy Photoelectron Spectroscopy and Its Application to Analyses of Chemical States at High-κ dielectric/Silicon Interface
    • 批准号：
      15206006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.2万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      HATTORI Takeo
    • 依托单位：
      Musashi Institute of Technology
    Studies on Carrier Trap Levels at Ultrathin SiO_2/Si Interface and Its Relation with Microscopic Structures
    • 批准号：
      10450020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • 资助金额：
      $6.66万
    • 财政年份：
      1998
    • 负责人：
      HATTORI Takeo
    • 依托单位：
      Musashi Institute of Technology
    Development of Ultra-smooth Si Surface by the Control of SiO_2/Si Interface Formation on an Atomic-Scale
    • 批准号：
      08455023
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.99万
    • 财政年份：
      1996
    • 负责人：
      HATTORI Takeo
    • 依托单位：
      Musashi Institute of Technology
    Formation of Extremely Flat Silicon Oxide/Silicon Interface by the Thermal Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface
    • 批准号：
      06452123
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.8万
    • 财政年份：
      1994
    • 负责人：
      HATTORI Takeo
    • 依托单位：
      Musashi Institute of Technology
    海外基金