Development of oxide solid electrolyte working at lower temperature by stress controlled film deposition method

应力控制薄膜沉积法开发低温工作氧化物固体电解质

基本信息

  • 批准号:
    19360295
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 13.06万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

YSZあるいはGd_2O_3添加CeO_2系酸化物イオン導電体をSi基板上にエピタキシャル薄膜化することで、従来の焼結体の固体電解質に比べて、低温の280~350℃程度で動作することを見いだした。この現象は、固体電解質を数十nm~数μmと非常に薄くすることによる内部抵抗の減少と、製膜時に発生する圧縮応力と基板と電解質の間に働く熱膨張差による引っ張り応力による複雑な応力状態により説明できることを明らかにした。
YSZ あ る い は Gd_2O_3 add CeO_2 acidification minerals イ オ ン conductive を Si substrate に エ ピ タ キ シ ャ ル film change す る こ と で, 従 の 焼 nexus of contracts の solid electrolyte に than べ て degree, 280 ~ 350 ℃ low temperature の で action す る こ と を see い だ し た. は こ の phenomenon, solid electrolyte を tens of nm ~ several microns と very thin に く す る こ と に よ る internal resistance の reducing と, the membrane に 発 raw す る 圧 shrinkage 応 force between と substrate と electrolyte の に 働 く thermal expansion difference に よ る lead っ zhang り 応 force に よ る complex 雑 な 応 force state に よ り illustrate で き る こ と を Ming ら か に し た.

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Epitaxial Growth of Oxide Thin Films on Si Substrate by Introducing Buffer Layers and Their Applications
引入缓冲层的硅衬底氧化物薄膜外延生长及其应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Shinozaki;T. Kiguchi;N. Wakiya;K. Kurihara
  • 通讯作者:
    K. Kurihara
Oxygen-Sensitivity in Perovskite-Type Dielectric Thin Films
钙钛矿型电介质薄膜的氧敏感性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Hara;T. Ishiguro;N. Wakiya;K. Shinozaki
  • 通讯作者:
    K. Shinozaki
Oxygen sensitivity of perovskite-type dielectric thin films
钙钛矿型介电薄膜的氧敏感性
Efect of Oxygen Annealing on Ferrroelectricity of BiFeO_3 Thin Films formed by Pulsed Laser Deposition
氧退火对脉冲激光沉积BiFeO_3薄膜铁电性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H-Y Go;N. Wakiya;H. Funakubo;K. Satoh;M. Kondo;J. A. Cross;K. Maruyama;N. Mizutani and K. Shinozaki
  • 通讯作者:
    N. Mizutani and K. Shinozaki
蛍石型薄膜による低温駆動酸素センサの可能性
使用萤石型薄膜的低温操作氧传感器的可能性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    篠崎和夫;Liu Yanyi;石倉裕司;吉岡朋彦;田中順三;櫻井修;木口賢紀;脇谷尚樹
  • 通讯作者:
    脇谷尚樹
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Development of dynamic aurora pulsed laser deposition equipped with reflection high-energy electron diffraction and effects of magnetic fields on room-temperature epitaxial growth of NiO thin film
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  • DOI:
    10.2109/jcersj2.20215
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.1
  • 作者:
    KAWAGUCHI Takahiko;YOSHIDA Mayu;SAKAMOTO Naonori;SHINOZAKI Kazuo;SUZUKI Hisao;WAKIYA Naoki
  • 通讯作者:
    WAKIYA Naoki
Characterizing the Role of Heat Stress-Inducible Small Open Reading Frames (sORFs)
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    SEKI Motoaki
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  • DOI:
    10.2109/jcersj2.20232
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.1
  • 作者:
    KAWAGUCHI Takahiko;KAWAI Takeshi;HIRAIWA Takuma;SAKAMOTO Naonori;SHINOZAKI Kazuo;SUZUKI Hisao;WAKIYA Naoki
  • 通讯作者:
    WAKIYA Naoki

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  • 通讯作者:
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    2011
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    $ 13.06万
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    $ 13.06万
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    2003
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    $ 13.06万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 13.06万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
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  • 资助金额:
    $ 13.06万
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 13.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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  • 资助金额:
    $ 13.06万
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  • 批准号:
    01480003
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 13.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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