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Development of oxide solid electrolyte working at lower temperature by stress controlled film deposition method

Development of oxide solid electrolyte working at lower temperature by stress controlled film deposition method
应力控制薄膜沉积法开发低温工作氧化物固体电解质
批准号：
19360295
负责人：
SHINOZAKI Kazuo
金额：
$13.06万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360295/
关键词：
機能性セラミックス低温動作酸化物イオン伝導体酸化物イオン導電体エピタキシャル薄膜酸素センサーSi基板酸素濃淡電池PLD装置反応性イオンエッチング

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YSZあるいはGd_2O_3添加CeO_2系酸化物イオン導電体をSi基板上にエピタキシャル薄膜化することで、従来の焼結体の固体電解質に比べて、低温の280～350℃程度で動作することを見いだした。この現象は、固体電解質を数十nm～数μmと非常に薄くすることによる内部抵抗の減少と、製膜時に発生する圧縮応力と基板と電解質の間に働く熱膨張差による引っ張り応力による複雑な応力状態により説明できることを明らかにした。
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会议论文
Epitaxial Growth of Oxide Thin Films on Si Substrate by Introducing Buffer Layers and Their Applications
引入缓冲层的硅衬底氧化物薄膜外延生长及其应用
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Shinozaki, T. Kiguchi, N. Wakiya, K. Kurihara]
通讯作者： K. Kurihara
Oxygen-Sensitivity in Perovskite-Type Dielectric Thin Films
钙钛矿型电介质薄膜的氧敏感性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Hara, T. Ishiguro, N. Wakiya, K. Shinozaki]
通讯作者： K. Shinozaki
Oxygen sensitivity of perovskite-type dielectric thin films
钙钛矿型介电薄膜的氧敏感性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science and Engineering B 161
影响因子： --
作者： [T. Hara, T. Ishiguro, N. Wakiya, K. Shinozaki]
通讯作者： K. Shinozaki
Efect of Oxygen Annealing on Ferrroelectricity of BiFeO_3 Thin Films formed by Pulsed Laser Deposition
氧退火对脉冲激光沉积BiFeO_3薄膜铁电性的影响
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Jpn. J. Appl. Phys. 46・6A
影响因子： --
作者： [H-Y Go, N. Wakiya, H. Funakubo, K. Satoh, M. Kondo, J. A. Cross, K. Maruyama, N. Mizutani and K. Shinozaki]
通讯作者： N. Mizutani and K. Shinozaki
共 18 条
    Development of homogeneous solid electrolyte/electrode structureby chemical vapor deposition method
    • 批准号：
      23656426
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      SHINOZAKI Kazuo
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Development of new type sensor structures using epitaxial-thin-film growth technology
    • 批准号：
      22360289
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.23万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      SHINOZAKI Kazuo
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Chemical interaction in gaseous phase of MOCVD raw materials and self-assembled ferroelectric thin films
    • 批准号：
      15360339
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.92万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      SHINOZAKI Kazuo
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Development and Manufacturing of Maltilayer coated Ceramic-Composite Particles.
    • 批准号：
      11450242
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • 资助金额：
      $8.06万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      SHINOZAKI Kazuo
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology