Electric Conduction and Light Scattering in Semiconductor Nanocolumns
半导体纳米柱中的导电和光散射
基本信息
- 批准号:19510111
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
柱状ナノ構造持つGaNナノコラム結晶の電気伝導と光散乱の研究より、次の基礎物性を明らかにした。(1)フレーリッヒ・モードをラマン散乱で観測し、コラム密度の関係を明らかにした。(2)AlNを挿んだ多重量子ディスク・ナノコラム結晶の(擬)閉じ込め及び界面フォノンモードを研究した。(3)キャリヤの集団励起のプラズモンの振舞を研究した。(4)電気伝導より低温での不純物伝導、非線形伝導、磁気抵抗を研究した。
The columnar structure supports the research and development of GaN nanocrystalline conductivity and light scattering, and the basic physical properties of GaN. (1) フレーリッヒ・モードをラマン scattered で観measurement し, コラムdensity のrelational を明らかにした. (2) Research on AlN multi-quantum crystal structure and interface structure. (3)のプラズモンの动动を研究した。 (4) Research on electrical conductivity, low-temperature impurity conduction, non-linear conduction, and magnetic resistance.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Raman Scattering in GaN/AIN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN/AIN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Md. Mahmudur Rahman;Rifki Muhida;Hideaki Kasai;戸高恵美子;T. Sekine
- 通讯作者:T. Sekine
Raman scattering in GaN/AlN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN/AlN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Sekine;S. Suzuki;M. Tada;T. Nakazato;A. Kikuchi and K. Kishino
- 通讯作者:A. Kikuchi and K. Kishino
GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱
GaN 纳米柱和 GaN/AlN 超晶格纳米柱的拉曼散射
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nakaoka;H;鈴木信太郎,渡辺耕平,黒江晴彦,関根智幸,多田誠,菊池昭彦,岸野克己
- 通讯作者:鈴木信太郎,渡辺耕平,黒江晴彦,関根智幸,多田誠,菊池昭彦,岸野克己
Raman Scattering in GaN Nanocolumns and GaN/AlN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN 纳米柱和 GaN/AlN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Sekine;S. Suzuki;H. Kuroe;M. Tada;A. Kikuchi;and K. Kishino
- 通讯作者:and K. Kishino
GaNナノコラム結晶の電気伝導
GaN 纳米柱晶体中的导电
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hiroshi Nakanishi;Hideaki Kasai;當洋樹,牛山崇幸,関根智幸,内田裕行,小林剛,菊池昭彦,岸野克己
- 通讯作者:當洋樹,牛山崇幸,関根智幸,内田裕行,小林剛,菊池昭彦,岸野克己
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
SEKINE Tomoyuki其他文献
SEKINE Tomoyuki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('SEKINE Tomoyuki', 18)}}的其他基金
Magnetic-Field and Pressure Effects on the Magnetic Excitations in the Disordered Spin-Peierls Systems
磁场和压力对无序自旋 Peierls 系统中磁激发的影响
- 批准号:
10640354 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study of Magnetic Excitations in the Spin-Peierls Copper Oxide by Light Scattering
光散射法研究自旋佩尔斯氧化铜的磁激发
- 批准号:
07640494 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似国自然基金
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑
金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础
研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
新型自支撑GaN/二维GaSe范德华异质结垂直结构紫外光电探测器研究
- 批准号:QZQN25F050009
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
GaN功率器件动态阈值不稳定诱导退化机理研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
GaN基电子器件界面热输运机理研究
- 批准号:2025JJ50045
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
免造影剂增强心脏CT技术:深度学习GAN与U-Net架构的融合应用
- 批准号:2025JJ80644
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
基于GAN-PSO智能算法的高性能Mg-Mn系变形镁合金设计
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
大尺寸 Si 基 GaN 材料外延及功率器件开发关键技术
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
相似海外基金
Highly integrated GaN power converter to calm the interference
高集成GaN功率转换器,平息干扰
- 批准号:
EP/Y002261/1 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Research Grant
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号:
24K08270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究
高Al组分GaN-HEMT漏极电流传导机制的基础研究
- 批准号:
24K07598 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
- 批准号:
23K26158 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
- 批准号:
23K26163 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
- 批准号:
24KJ1270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
- 批准号:
24KJ0142 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
シングルモードマイクロ波を用いたGaNの加熱応答の究明と加熱プロセスの開発
使用单模微波研究 GaN 的加热响应并开发加热工艺
- 批准号:
24K07591 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
トポロジー最適化を用いた縦型GaNパワーデバイスの構造設計技術
采用拓扑优化的垂直GaN功率器件结构设计技术
- 批准号:
24K07597 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)














{{item.name}}会员




