Electric Conduction and Light Scattering in Semiconductor Nanocolumns
Electric Conduction and Light Scattering in Semiconductor Nanocolumns
批准号:
19510111
负责人:
SEKINE Tomoyuki
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
柱状ナノ構造持つGaNナノコラム結晶の電気伝導と光散乱の研究より、次の基礎物性を明らかにした。(1)フレーリッヒ・モードをラマン散乱で観測し、コラム密度の関係を明らかにした。(2)AlNを挿んだ多重量子ディスク・ナノコラム結晶の(擬)閉じ込め及び界面フォノンモードを研究した。(3)キャリヤの集団励起のプラズモンの振舞を研究した。(4)電気伝導より低温での不純物伝導、非線形伝導、磁気抵抗を研究した。
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Raman Scattering in GaN/AIN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN/AIN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
AIP Conference Proceedings 893
影响因子:
--
作者:
[Md. Mahmudur Rahman, Rifki Muhida, Hideaki Kasai, 戸高恵美子, T. Sekine]
通讯作者:
T. Sekine
Raman scattering in GaN/AlN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN/AlN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
AIP Conference Proceedings 893
影响因子:
--
作者:
[T. Sekine, S. Suzuki, M. Tada, T. Nakazato, A. Kikuchi and K. Kishino]
通讯作者:
A. Kikuchi and K. Kishino
GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱
GaN 纳米柱和 GaN/AlN 超晶格纳米柱的拉曼散射
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Nakaoka, H, 鈴木信太郎,渡辺耕平,黒江晴彦,関根智幸,多田誠,菊池昭彦,岸野克己]
通讯作者:
鈴木信太郎,渡辺耕平,黒江晴彦,関根智幸,多田誠,菊池昭彦,岸野克己
Raman Scattering in GaN Nanocolumns and GaN/AlN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN 纳米柱和 GaN/AlN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
e-J. Surf. Sci. Nanotech 4
影响因子:
--
作者:
[T. Sekine, S. Suzuki, H. Kuroe, M. Tada, A. Kikuchi, and K. Kishino]
通讯作者:
and K. Kishino
GaNナノコラム結晶の電気伝導
GaN 纳米柱晶体中的导电
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroshi Nakanishi, Hideaki Kasai, 當洋樹,牛山崇幸,関根智幸,内田裕行,小林剛,菊池昭彦,岸野克己]
通讯作者:
當洋樹,牛山崇幸,関根智幸,内田裕行,小林剛,菊池昭彦,岸野克己
共 11 条
Magnetic-Field and Pressure Effects on the Magnetic Excitations in the Disordered Spin-Peierls Systems
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批准号:10640354
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1998
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负责人:SEKINE Tomoyuki
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依托单位:
Study of Magnetic Excitations in the Spin-Peierls Copper Oxide by Light Scattering
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批准号:07640494
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:SEKINE Tomoyuki
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依托单位:
国内基金
海外基金
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垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘梦涵
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依托单位:
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:沈竞宇
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依托单位:
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:郑晨焱
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依托单位:
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑
金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础
研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:戴厚富
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依托单位:
新型自支撑GaN/二维GaSe范德华异质结垂直结构紫外光电探测器研究
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批准号:QZQN25F050009
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:胡天贵
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依托单位:
面向 GaN 基 micro-LED/钙钛矿量子点的异质集成与缺陷调控机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
GaN功率器件动态阈值不稳定诱导退化机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:施宜军
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依托单位:
面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:何亮
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依托单位:
曲面等离激元/GaN微腔耦合结构设计与激光模式调控研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
GaN基电子器件界面热输运机理研究
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批准号:2025JJ50045
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:陈学坤
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依托单位: