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Electric Conduction and Light Scattering in Semiconductor Nanocolumns

Electric Conduction and Light Scattering in Semiconductor Nanocolumns
半导体纳米柱中的导电和光散射
批准号:
19510111
负责人:
SEKINE Tomoyuki
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008

项目摘要

项目成果

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柱状ナノ構造持つGaNナノコラム結晶の電気伝導と光散乱の研究より、次の基礎物性を明らかにした。(1)フレーリッヒ・モードをラマン散乱で観測し、コラム密度の関係を明らかにした。(2)AlNを挿んだ多重量子ディスク・ナノコラム結晶の(擬)閉じ込め及び界面フォノンモードを研究した。(3)キャリヤの集団励起のプラズモンの振舞を研究した。(4)電気伝導より低温での不純物伝導、非線形伝導、磁気抵抗を研究した。
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Raman Scattering in GaN/AIN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN/AIN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: AIP Conference Proceedings 893
影响因子: --
作者: [Md. Mahmudur Rahman, Rifki Muhida, Hideaki Kasai, 戸高恵美子, T. Sekine]
通讯作者: T. Sekine
Raman scattering in GaN/AlN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN/AlN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: AIP Conference Proceedings 893
影响因子: --
作者: [T. Sekine, S. Suzuki, M. Tada, T. Nakazato, A. Kikuchi and K. Kishino]
通讯作者: A. Kikuchi and K. Kishino
GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱
GaN 纳米柱和 GaN/AlN 超晶格纳米柱的拉曼散射
DOI: --
发表时间: 2006
期刊:
影响因子: --
作者: [Nakaoka, H, 鈴木信太郎,渡辺耕平,黒江晴彦,関根智幸,多田誠,菊池昭彦,岸野克己]
通讯作者: 鈴木信太郎,渡辺耕平,黒江晴彦,関根智幸,多田誠,菊池昭彦,岸野克己
Raman Scattering in GaN Nanocolumns and GaN/AlN Multiple Quantum Disk Nanocolumns
GaN 纳米柱和 GaN/AlN 多量子盘纳米柱中的拉曼散射
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: e-J. Surf. Sci. Nanotech 4
影响因子: --
作者: [T. Sekine, S. Suzuki, H. Kuroe, M. Tada, A. Kikuchi, and K. Kishino]
通讯作者: and K. Kishino
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    Magnetic-Field and Pressure Effects on the Magnetic Excitations in the Disordered Spin-Peierls Systems
    • 批准号:
      10640354
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.79万
    • 财政年份:
      1998
    • 负责人:
      SEKINE Tomoyuki
    • 依托单位:
    Study of Magnetic Excitations in the Spin-Peierls Copper Oxide by Light Scattering
    • 批准号:
      07640494
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.47万
    • 财政年份:
      1995
    • 负责人:
      SEKINE Tomoyuki
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      刘梦涵
    • 依托单位:
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
    复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      10.0万元
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      戴厚富
    • 依托单位: