刷新
{{item.name}}会员
Highly accurate thermodynamic calculation of spintronics device materials
自旋电子器件材料的高精度热力学计算
基本信息
- 批准号：19760209
- 负责人：
- 金额：$ 2.14万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
スピン注入デバイスの実現化に有力な候補である強磁性Fe/III-V 半導体ハイブリッド構造の相平衡を,第一原理計算及びCALPHAD 法から計算した.Al-As-Fe-Ga-In 系を対象として,各二元系及び三元系のモデリングを行い,特にFe/InAs 構造とFe/GaAs 構造作製時に形成される化合物の解明や,結晶成長の最適温度に関しての知見を得た.
The first principle calculation and the CALPHAD method are used to calculate the phase equilibrium. The Al-As-Fe-Ga-In system, the binary system and the ternary system are tested. The binary and ternary systems are operated successfully, and the chemical compounds are formed at the time of Fe/GaAs fabrication by Fe/InAs. The results show that the growth of the most recent temperature is highly appreciated.
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Thermodynamic modeling of the system As-Fe combined with first-principles total energy calculations
As-Fe 体系的热力学建模与第一性原理总能量计算相结合
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Munekazu Ohno and Kanji Yoh;Munekazu Ohno and Kanji Yoh;Munekazu Ohno and Kanji Yoh
- 通讯作者：Munekazu Ohno and Kanji Yoh
Thermodynamic calculation of phase equilibria in As-Fe-In ternary system based on CALPHAD approach
基于CALPHAD方法的As-Fe-In三元体系相平衡热力学计算
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Munekazu Ohno and Kanji Yoh
- 通讯作者：Munekazu Ohno and Kanji Yoh
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
OHNO Munekazu其他文献
OHNO Munekazu的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('OHNO Munekazu', 18)}}的其他基金
Development of ultra-fine grained steels by controlling peritectic and inverse eutectoid reaction processes
通过控制包晶和逆共析反应过程开发超细晶粒钢
- 批准号：
22686067 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似海外基金
Development of spin injection technology through energy-band symmetry matching in semiconductor-based spin devices
通过半导体自旋器件中的能带对称匹配开发自旋注入技术
- 批准号：
21K18719 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
SiCにおける電気的スピン注入に基いた局在スピン制御の開拓
基于SiC电自旋注入的局域自旋控制的发展
- 批准号：
21K20502 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
トポロジカル半金属を用いた高性能純スピン注入源の開発
使用拓扑非金属开发高性能纯自旋注入源
- 批准号：
21J10066 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Spin injection in antiferromagnet using spin vorticity coupling
使用自旋涡量耦合在反铁磁体中进行自旋注入
- 批准号：
19K23588 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Creation of highly-efficient spin injection source by interface modification in half-metallic oxides
通过半金属氧化物界面修饰创建高效自旋注入源
- 批准号：
17H06482 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Spin-polarized supercurrent induced by effective spin injection
有效自旋注入引起的自旋极化超电流
- 批准号：
17K14109 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Research for fluid flow driven by spin current injection
自旋电流注入驱动流体流动研究
- 批准号：
16H04023 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of pure spin injection probe using multiprobe STM
使用多探针 STM 开发纯自旋注入探针
- 批准号：
15K13358 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Spin injection into Si through an asymmetrical potential barrier
通过不对称势垒自旋注入硅
- 批准号：
26600080 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.
用于自旋注入和自旋输运的硅通道汉勒效应自旋器件。
- 批准号：
26630153 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.14万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research