錯体のプロトン共役電子移動を利用した光蓄電薄膜の創製

利用配合物的质子共轭电子转移创建光电存储薄膜

基本信息

  • 批准号:
    24550085
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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知道了