錯体のプロトン共役電子移動を利用した光蓄電薄膜の創製
利用配合物的质子共轭电子转移创建光电存储薄膜
基本信息
- 批准号:24550085
- 负责人:
- 金额:$ 3.49万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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