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ナノ微粒子支援レーザ堆積法による酸化亜鉛ナノワイヤの合成と発光素子への応用

纳米颗粒辅助激光沉积法合成氧化锌纳米线及其在发光器件中的应用

基本信息

批准号：
08F08068
负责人：
岡田龍雄
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2010
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08F08068/
关键词：
ZnO ナノワイヤ pn接合 p型レーザー発振

项目摘要

ZnOナノ構造体を用いた新しい紫外発光素子の開発研究が世界中で活発に行われている.ZnOは通常酸素欠損に伴うn型特性を示すので,発光素子の作製に不可欠なp-n接合の実現には,p型ZnOの開発が最重要課題となっている.しかし,いまだ安定なp型ZnO作製技術は確立されていない.本研究の目的は,本研究グループ独自の手法であるナノ微粒子支援レーザー堆積法(NAPLD)を用いたp型ZnO作製技術の確立と,コアシェル型のp-n接合を持つ新しい紫外発光素子を開発することである.今年度は,既存のNAPLD装置を用いて,主にp型ドーパントとして燐(P)を含むZnOナノワイヤの作製を試みた.得られた主な成果は次のようである.1)p型ZnOナノワイヤの合成Pをドーパントとして添加したZnOターゲットを用いて,NAPLD法によりPがドープされたナノワイヤの作製に成功した.Pのドープ量を変化してZnOナノワイヤを作製し,TEMや低温ホトルミネッセンス(低温PL)により評価した.その結果,TEM観察より,Pのドープ量の増加とともに格子間隔が大きくなりPが有効にドープされていることが確認された.2)PLによるPドープZnOナノワイヤの評価PLの測定より,Pのドープ量の増加ともに酸素欠陥に伴う可視蛍光が減少することが分かった.さらに,低温PLより,Pのドープ量の増加とともに,顕著なエネルギー準位の変化が確認された.以上より,p型ZnOナノワイヤが作製されているものと考えられる.次年度以降,pn接合の作製を行う予定である.

The development of new ultraviolet emitters for ZnO structures is one of the most important problems in the world.ZnO is usually characterized by n-type properties due to acid depletion. The development of p-type ZnO is the most important problem in the development of p-type ZnO. The production technology of stable p-type ZnO is well established. The purpose of this study is to establish a unique method for the preparation of p-type ZnO by particle supported deposition (NAPLD), and to develop a novel p-n junction for ultraviolet emitters. This year, existing NAPLD devices are being used, mainly in the p-type and phosphorus (P)-containing ZnO. 1) Synthesis of p-type ZnO by adding ZnO to the solution. NAPLD method was used to prepare the solution successfully. The solution was prepared by TEM at low temperature. As a result,TEM observation shows that the increase in the amount of P in the cell spacing is greater than that in the cell spacing. 2)PL in the cell spacing is greater than that in the cell spacing. 3) PL in the cell spacing is greater than that in the cell spacing. In addition, the low temperature PL,P and the increase in the amount of water, water and gas levels are confirmed. The above,p-type ZnO. The next year, the PN junction system is scheduled.