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Herstellung, Mikrostruktur und magnetische Eigenschaften von hartmagnetischen L10 Schichten auf mittels IBAD biaxial texturierten MgO Buffer-Schichten

Herstellung, Mikrostruktur und magnetische Eigenschaften von hartmagnetischen L10 Schichten auf mittels IBAD biaxial texturierten MgO Buffer-Schichten
使用 IBAD 双向织构 MgO 缓冲层上硬磁 L10 层的生产、微观结构和磁性能
批准号:
5371511
负责人:
Privatdozent Dr. Sebastian Fähler
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2002
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2001-12-31 至 2006-12-31

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项目成果

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Obwohl die Speicherdichte von Computerfestplatten noch ungehindert exponentiell anwächst, wird erwartet, daß mit den bisherigen Materialien in wenigen Jahren die Grenze erreicht wird, unterhalb der ein einzelnes Speicherbit zu klein ist, um thermisch stabil eine Magnetisierungsrichtung beizubehalten. Um dies superparamagnetische Limit weiter hinaus zu schieben, sind hartmagnetische Materialien mit einer hohen Anisotropie, wie zum Beispiel die geordneten L1o Phasen FePt und CoPt, mit einer optimierten Mikrostruktur notwendig. In diesem Projekt sollen epitaktische FePt und CoPt Schichten auf einem biaxial texturierten MgO Buffer hergestellt werden. Die gewünschte Texturierung des Buffers wird während des Wachstums durch einen zusätzlichen, schräg einfallenden Ionenstrahl (IBAD) erreicht. So können auf einem technischen Substrat biaxial texturierte, dünne und glatte MgO Buffer-Schichten mit kleinen Korngrößen, aber ohne Großwinkelkorngrenzen hergestellt werden. Da im allgemeinen eine aufwachsende Schicht die Orientierung und Mikrostruktur der Unterlage reproduziert, soll hierüber die Textur und Korngröße der hartmagnetischen Schicht kontrolliert werden und deren Einfluß auf die magnetischen Eigenschaften der FePt und CoPt Schichten untersucht werden.
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