Herstellung, Mikrostruktur und magnetische Eigenschaften von hartmagnetischen L10 Schichten auf mittels IBAD biaxial texturierten MgO Buffer-Schichten

尽管计算机实验的特殊性还没有达到指数级，但在未来几年内，我们将使用更好的材料，通过一个简单的特殊性，一个热稳定的磁性材料。超顺磁性极限在它的周围，是一种各向异性很强的磁性材料，就像在L1相FePt和CoPt的边界上一样，有一个最佳的微结构。在该项目中，采用了双轴织构MgO缓冲层的外延FePt和CoPt薄膜。缓冲器的结构将通过一个zusätzlichen，schräg einfallenden Ionenstrahl（IBAD）消除。因此，在一个工艺衬底上双轴织构化，用小的孔组成的玻璃MgO缓冲层，然后用大的孔组成韦尔登。在一般情况下，通过对非线性再现的定向和微结构进行分析，可以对强磁控制韦尔登的织构和孔结构进行改进，并对韦尔登的FePt和CoPt的磁本征值产生影响。

Obwohl die Speicherdichte von Computerfestplatten noch ungehindert exponentiell anwächst, wird erwartet, daß mit den bisherigen Materialien in wenigen Jahren die Grenze erreicht wird, unterhalb der ein einzelnes Speicherbit zu klein ist, um thermisch stabil eine Magnetisierungsrichtung beizubehalten. Um dies superparamagnetische Limit weiter hinaus zu schieben, sind hartmagnetische Materialien mit einer hohen Anisotropie, wie zum Beispiel die geordneten L1o Phasen FePt und CoPt, mit einer optimierten Mikrostruktur notwendig. In diesem Projekt sollen epitaktische FePt und CoPt Schichten auf einem biaxial texturierten MgO Buffer hergestellt werden. Die gewünschte Texturierung des Buffers wird während des Wachstums durch einen zusätzlichen, schräg einfallenden Ionenstrahl (IBAD) erreicht. So können auf einem technischen Substrat biaxial texturierte, dünne und glatte MgO Buffer-Schichten mit kleinen Korngrößen, aber ohne Großwinkelkorngrenzen hergestellt werden. Da im allgemeinen eine aufwachsende Schicht die Orientierung und Mikrostruktur der Unterlage reproduziert, soll hierüber die Textur und Korngröße der hartmagnetischen Schicht kontrolliert werden und deren Einfluß auf die magnetischen Eigenschaften der FePt und CoPt Schichten untersucht werden.