课题基金 / 基金详情

Preparation of CuInS_2 films by reactive-sputtering alternately Cu- and In-facing-targets

Preparation of CuInS_2 films by reactive-sputtering alternately Cu- and In-facing-targets
铜靶与内靶交替反应溅射制备CuInS_2薄膜
批准号：
20560292
负责人：
TSUBOI Nozomu
金额：
$3.16万
依托单位：
Niigata University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560292/
关键词：
薄膜太陽電池カルコパイライトスパッタ法硫化銅インジウム太陽電池薄膜化合物半導体多元系

项目摘要

项目成果

TSUBOI Nozomu的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
CuInS_2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited by sputtering alternatively Cu- and In-facing-targets under Ar-diluted CS_2 atmosphere. Composition of the films corresponded to the (Cu_xS)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3) system line. Stoichiometric CuInS_2 films exhibited the absorption-edge corresponding to the energy-gap of CuInS_2. In CuInS_2 epitaxial films by multisource evaporation method, lattice strain as well as the [Cu]/[In] ratio was considered to be related with growth mechanism.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
反応性スパッタ法によるCuINS_2膜における基板温度および反応性ガス供給方法に対する特性変化
反应溅射法CuINS_2薄膜的特性随基板温度和反应气体供给方式的变化
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [川田孝平, 坪井望]
通讯作者： 坪井望
反応性交互スパッタ法によるMo薄膜上へのCuInS_2薄膜作製の試み
反应交替溅射法在Mo薄膜上制备CuInS_2薄膜的尝试
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [須田朗弘, 坪井望, 金子双男]
通讯作者： 金子双男
Epitaxial Growth of Chalcopyrite CuInS_2 Films on GaP(001), 16th Int.Conf.
GaP(001) 上黄铜矿 CuInS_2 薄膜的外延生长，第 16 届国际会议。
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [R.M.Vequizo, N.Tsuboi, S.Kobayashi, K.Oishi, F.Kaneko]
通讯作者： F.Kaneko
Epitaxial growth of chalcopyrite CuInS2 films on GaP(001) by controlling [Cu]/[In] ratio
DOI： 10.1002/pssc.200881163
发表时间： 2009-05
期刊： Physica Status Solidi (c)
影响因子： --
作者： [R. Vequizo;Nozomu Tsuboi;Satoshi Kobayashi;K. Oishi;F. Kaneko]
通讯作者： R. Vequizo;Nozomu Tsuboi;Satoshi Kobayashi;K. Oishi;F. Kaneko
共 11 条
    Preparation of CuInS2 films by sputtering Cu and In in Ar-diluted H2S reactive gas with the facing target system
    • 批准号：
      23560361
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.49万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TSUBOI Nozomu
    • 依托单位：
      Niigata University
    Development of Conductive Delafossite-type Oxide Phosphor Co-doped with Rare-earth and Acceptor Cations
    • 批准号：
      18560006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.43万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      TSUBOI Nozomu
    • 依托单位：
      Niigata University
    Transparent P-type Conductive Ternary Oxide Films Prepared by Reactive Sputtering Method
    • 批准号：
      16560270
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.43万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      TSUBOI Nozomu
    • 依托单位：
      Niigata University
    海外基金