Preparation of CuInS_2 films by reactive-sputtering alternately Cu- and In-facing-targets

铜靶与内靶交替反应溅射制备CuInS_2薄膜

• 批准号: 20560292
• 负责人: TSUBOI Nozomu
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Niigata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560292/
• 关键词: 薄膜太陽電池; カルコパイライト; スパッタ法; 硫化銅インジウム; 太陽電池; 薄膜; 化合物半導体; 多元系

CuInS_2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited by sputtering alternatively Cu- and In-facing-targets under Ar-diluted CS_2 atmosphere. Composition of the films corresponded to the (Cu_xS)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3) system line. Stoichiometric CuInS_2 films exhibited the absorption-edge corresponding to the energy-gap of CuInS_2. In CuInS_2 epitaxial films by multisource evaporation method, lattice strain as well as the [Cu]/[In] ratio was considered to be related with growth mechanism.

在Ar稀释的CS_2气氛下，采用对Cu和In靶交替溅射的方法制备了不同[Cu]/[In]比的CuInS_2薄膜。薄膜的组成符合（Cu_xS）-（CuInS_2）-（CuIn_5S_8）-（In_2S_3）系统线。化学计量比的CuInS_2薄膜具有与CuInS_2的能隙相对应的吸收边。在CuInS_2薄膜的多层蒸发外延过程中，晶格应变和[Cu]/[In]比与生长机制有关。

项目成果

反応性スパッタ法によるCuINS_2膜における基板温度および反応性ガス供給方法に対する特性変化

反应溅射法CuINS_2薄膜的特性随基板温度和反应气体供给方式的变化

• 发表时间: 2011
• 作者: 川田孝平;坪井望
• 通讯作者: 坪井望

反応性交互スパッタ法によるMo薄膜上へのCuInS_2薄膜作製の試み

反应交替溅射法在Mo薄膜上制备CuInS_2薄膜的尝试

• 发表时间: 2010
• 作者: 須田朗弘;坪井望;金子双男
• 通讯作者: 金子双男

Epitaxial Growth of Chalcopyrite CuInS_2 Films on GaP(001), 16th Int.Conf.

GaP(001) 上黄铜矿 CuInS_2 薄膜的外延生长，第 16 届国际会议。

• 发表时间: 2008
• 作者: R.M.Vequizo;N.Tsuboi;S.Kobayashi;K.Oishi;F.Kaneko
• 通讯作者: F.Kaneko

Epitaxial growth of chalcopyrite CuInS2 films on GaP(001) by controlling [Cu]/[In] ratio

• DOI: 10.1002/pssc.200881163
• 发表时间: 2009-05
• 期刊: Physica Status Solidi (c)
• 作者: R. Vequizo;Nozomu Tsuboi;Satoshi Kobayashi;K. Oishi;F. Kaneko

異なる反応性ガス供給条件下でのCuとInの交互スパッタによるCuInS_2薄膜の作製

不同反应供气条件下Cu和In交替溅射制备CuInS_2薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 山口拓也;坪井望;大石耕一郎;金子双男;小林敏志
• 通讯作者: 小林敏志