Preparation of CuInS2 films by sputtering Cu and In in Ar-diluted H2S reactive gas with the facing target system

面对靶系统在Ar稀H2S反应气体中溅射Cu和In制备CuInS2薄膜

• 批准号: 23560361
• 负责人: TSUBOI Nozomu
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Niigata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560361/
• 关键词: 薄膜太陽電池; カルコパイライト; スパッタ法; 銅インジウム硫化物

CuInS2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited by sputtering alternatively Cu- and In-facing-targets under Ar-diluted H2S atmosphere. Composition of the films corresponded to the (CuxS)-(CuInS2) system line. Stoichiometric CuInS2 films exhibited the absorption-edge corresponding to the energy-gap of CuInS2. Multilayer structures such as ZnO:Al/ZnO/ZnS/CuInS2/Mo/glass were prepared for the solar-cell application.

在Ar稀释的H_2S气氛中，采用交替溅射方法制备了不同[Cu]/[In]比的CuInS_2薄膜。薄膜的组成符合(CuxS)-(CuInS2)系统线。化学计量比的CuInS2薄膜显示出与CuInS2能隙对应的吸收边。制备了适用于太阳电池的多层结构，如：ZnO：Al/ZnO/ZnS/CuInS2/Mo/Glass。

项目成果

クロージング-CIGS系およびCZTS系の薄膜太陽電池の作製プロセスの進展と残された課題-

结束语 - CIGS 基和 CZTS 基薄膜太阳能电池制造工艺的进展和遗留问题 -

• 发表时间: 2011
• 作者: 永冨佳将;蓮見真彦;鮫島俊之;坪井望
• 通讯作者: 坪井望

反応性交互スパッタ法によるMo薄膜上へのCuInS_2薄膜の作製と評価

Mo薄膜上反应性交替溅射法制备CuInS_2薄膜及评价

• 发表时间: 2011
• 作者: 須田朗弘;川田孝平;小野友也;野本隆宏;坪井望
• 通讯作者: 坪井望

Ar希釈H2S中でのCuとInの反応性交互スパッタによるCuInS_2薄膜の作製と評価

氩稀H2S中Cu和In反应交替溅射CuInS_2薄膜的制备与评价

• 发表时间: 2013
• 作者: 小野友也;万徳遼太郎;野本隆宏;坪井望
• 通讯作者: 坪井望

CuInS_2 films by reactive-sputtering alternately Cu and In targets in Ar-diluted H2S

在Ar稀H2S中交替反应溅射Cu和In靶材制备CuInS_2薄膜

• 发表时间: 2013
• 作者: Nozomu Tsuboi;Tomoya Ono and Tkahiro Nomoto
• 通讯作者: Tomoya Ono and Tkahiro Nomoto

多元同時蒸着装置によるCuInS_2薄膜の作製と評価

多源同步蒸发设备CuInS_2薄膜的制备与评价

• 发表时间: 2011
• 作者: 西川翔悟;長谷川一;坪井望
• 通讯作者: 坪井望