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Preparation of CuInS2 films by sputtering Cu and In in Ar-diluted H2S reactive gas with the facing target system

Preparation of CuInS2 films by sputtering Cu and In in Ar-diluted H2S reactive gas with the facing target system
面对靶系统在Ar稀H2S反应气体中溅射Cu和In制备CuInS2薄膜
批准号：
23560361
负责人：
TSUBOI Nozomu
金额：
$3.49万
依托单位：
Niigata University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2013
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560361/
关键词：
薄膜太陽電池カルコパイライトスパッタ法銅インジウム硫化物

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CuInS2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited by sputtering alternatively Cu- and In-facing-targets under Ar-diluted H2S atmosphere. Composition of the films corresponded to the (CuxS)-(CuInS2) system line. Stoichiometric CuInS2 films exhibited the absorption-edge corresponding to the energy-gap of CuInS2. Multilayer structures such as ZnO:Al/ZnO/ZnS/CuInS2/Mo/glass were prepared for the solar-cell application.
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会议论文
クロージング-CIGS系およびCZTS系の薄膜太陽電池の作製プロセスの進展と残された課題-
结束语 - CIGS 基和 CZTS 基薄膜太阳能电池制造工艺的进展和遗留问题 -
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [永冨佳将, 蓮見真彦, 鮫島俊之, 坪井望]
通讯作者： 坪井望
反応性交互スパッタ法によるMo薄膜上へのCuInS_2薄膜の作製と評価
Mo薄膜上反应性交替溅射法制备CuInS_2薄膜及评价
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [須田朗弘, 川田孝平, 小野友也, 野本隆宏, 坪井望]
通讯作者： 坪井望
多元同時蒸着装置によるCuInS_2薄膜の作製と評価
多源同步蒸发设备CuInS_2薄膜的制备与评价
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [西川翔悟, 長谷川一, 坪井望]
通讯作者： 坪井望
Ar希釈H2S中でのCuとInの反応性交互スパッタによるCuInS_2薄膜の作製と評価
氩稀H2S中Cu和In反应交替溅射CuInS_2薄膜的制备与评价
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [小野友也, 万徳遼太郎, 野本隆宏, 坪井望]
通讯作者： 坪井望
共 19 条
    Preparation of CuInS_2 films by reactive-sputtering alternately Cu- and In-facing-targets
    • 批准号：
      20560292
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      TSUBOI Nozomu
    • 依托单位：
      Niigata University
    Development of Conductive Delafossite-type Oxide Phosphor Co-doped with Rare-earth and Acceptor Cations
    • 批准号：
      18560006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.43万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      TSUBOI Nozomu
    • 依托单位：
      Niigata University
    Transparent P-type Conductive Ternary Oxide Films Prepared by Reactive Sputtering Method
    • 批准号：
      16560270
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.43万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      TSUBOI Nozomu
    • 依托单位：
      Niigata University
    海外基金