Study on single-photon emission in carbon nanotubes

碳纳米管单光子发射研究

• 批准号: 20710107
• 负责人: OHNO Yutaka
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20710107/
• 关键词: カーボンナノチューブ; 発光; 励起子; 光電子デバイス; 光物性; デバイス; 電界効果トランジスタ; pn制御; 単一光子源

In this study, I studied optical properties of carbon nanotubes and carrier injection phenomena to carbon nanotubes, aiming to develop their potential as future optoelectronic devices. First, I analyzed the dependence of photoluminescence intensity on chirality of carbon nanotubes, and fount that dominant exciton relaxation process is non-radiative relaxation via multiple LO phonons. For light emitting devices, a technology to control the polarity of carriers injected into carbon nanotubes was developed, utilizing interface fixed charges introduced by a deposition of an insulator. I also realized simultaneous injection of electrons and holes into a carbon nanotube in p/n diode structure.

在本研究中，我对碳纳米管的光学性质和载流子注入现象进行了研究，旨在开发其作为未来光电器件的潜力。首先，分析了碳纳米管的光致发光强度与手性的关系，发现主要的激子弛豫过程是通过多个LO声子的非辐射弛豫。对于发光器件，开发了一种利用绝缘体沉积引入的界面固定电荷来控制注入到碳纳米管中的载流子的极性的技术。我还实现了电子和空穴同时注入到p/n二极管结构的碳纳米管中。

项目成果

カーボンナノチューブFETの動作に及ぼすゲート絶縁膜界面電荷の影響

栅绝缘膜界面电荷对碳纳米管FET工作的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 大野雄高;岸本茂;水谷孝
• 通讯作者: 水谷孝

n-type single-walled carbon nanotube FETs with Sm as contact electrodes

以 Sm 作为接触电极的 n 型单壁碳纳米管 FET

• 发表时间: 2008
• 作者: P.R. Somani;A. Kobayashi;Y. Ohno;S. Kishimoto;T. Mizutani
• 通讯作者: T. Mizutani

カーボンナノチューブの製造方法,カーボンナノチューブ製造用の単結晶基板,およびカーボンナノチューブ

碳纳米管的制造方法、用于制造碳纳米管的单晶基板以及碳纳米管

• 发表时间: 2010

Electrical properties of carbon nanotube FETs

碳纳米管FET的电性能

• 发表时间: 2008
• 期刊: Proceedings of SPIE vol.7037
• 作者: T. Mizutani;Y. Ohno;S. Kishimoto
• 通讯作者: S. Kishimoto

ゲート絶縁膜の堆積によるカーボンナノチューブFETの伝導型制御

通过沉积栅极绝缘膜控制碳纳米管FET的导电类型

• 发表时间: 2009
• 作者: 森山直希;大野雄高;岸本茂;水谷孝
• 通讯作者: 水谷孝