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Simulation und Modellbildung für bidirektionale Insulated Gate Bipolar-Transistoren / Dioden mit synchroner Anodensteuerung

具有同步阳极控制的双向绝缘栅双极晶体管/二极管的仿真和建模

基本信息

批准号：
5377453
负责人：
Professor Dr. Dieter Hans Silber
金额：
--
依托单位：
Institut für Elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente (IALB)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1997
资助国家：
德国
起止时间：
1996-12-31 至 2006-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5377453?language=en
关键词：
Simulation und Modellbildung bidirektionale Insulated

项目摘要

Die in den ersten Vorhabensabschnitt durchgeführten Simulationsstudien zu bidirektional sperrenden IGBTs werden auf der Basis von Kompaktmodellen weitergeführt. Die Vergleiche von integrierten Versionen und Versionen mit Seriendiode werden durch Einbeziehung speicherladungsfreier Dioden (SiC) ergänzt. Falls sich im laufenden Vorhaben keine Aussichten auf eine wesentlich bessere Funktion der gesteuerten Anodenkurzschlüsse ergeben, werden die Untersuchungen zum echt bidirektionalen IGBT nicht weitergeführt. Die bisher zu den gesteuerten Anodenkurzschlüssen erhaltenen Ergebnisse sollen dann zur Untersuchung von synchron anodenseitig gesteuerten Dioden ausgenutzt werden. Dabei werden besonders hohe Anforderungen an die Präzision der synchronen Anforderung gestellt. Als Testobjekte sollen hochsperrende MOS-Transistoren in den bisherigen und der neu entwickelten Hochspannungs-MOS-Technologie dienen.

模拟研究了双向分布igts的数学模型，并根据计算基础（Basis von Kompaktmodellen weitergef<s:1> hrt）进行了计算。死Vergleiche冯integrierten Versionen和Versionen麻省理工学院Seriendiode了军队Einbeziehung speicherladungsfreier Dioden erganzt(原文如此)。奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利奥地利在德国，有一种新型的阳极阴极阴极阴极阴极阴极阴极阴极。Dabei werden说：“德国人是德国人，德国人是德国人，德国人是德国人。本研究的目的是研究moss晶体管的结构和结构。