Simulation und Modellbildung für bidirektionale Insulated Gate Bipolar-Transistoren / Dioden mit synchroner Anodensteuerung

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Die in den ersten Vorhabensabschnitt durchgeführten Simulationsstudien zu bidirektional sperrenden IGBTs werden auf der Basis von Kompaktmodellen weitergeführt. Die Vergleiche von integrierten Versionen und Versionen mit Seriendiode werden durch Einbeziehung speicherladungsfreier Dioden (SiC) ergänzt. Falls sich im laufenden Vorhaben keine Aussichten auf eine wesentlich bessere Funktion der gesteuerten Anodenkurzschlüsse ergeben, werden die Untersuchungen zum echt bidirektionalen IGBT nicht weitergeführt. Die bisher zu den gesteuerten Anodenkurzschlüssen erhaltenen Ergebnisse sollen dann zur Untersuchung von synchron anodenseitig gesteuerten Dioden ausgenutzt werden. Dabei werden besonders hohe Anforderungen an die Präzision der synchronen Anforderung gestellt. Als Testobjekte sollen hochsperrende MOS-Transistoren in den bisherigen und der neu entwickelten Hochspannungs-MOS-Technologie dienen.