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High-k gate dielectrics investigated by laser-assisted three dimensional atom probe tomography

High-k gate dielectrics investigated by laser-assisted three dimensional atom probe tomography
通过激光辅助三维原子探针断层扫描研究高 k 栅极电介质
批准号：
20760212
负责人：
INOUE Koji
金额：
$2.66万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760212/
关键词：
アトムプローブMOSFETHigh-kドーパント微細化3次元アトムプローブMOSトランジスタHigh-Kゲート酸化膜

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The dopant distributions and high-k gate dielectrics in metal-oxide-semiconductor field effect transistor structure were analyzed by three dimensional atom probe tomography. The remarkable difference of dopant distribution between n-MOSFET and p-MOSFET was clearly observed. Futher investigations are needed for the high-k gate dielectrics structures obtained by three dimensional atom probe tomography.
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会议论文
Three dimensional characterization of dopant distribution in polycrystalline silicon by atom probe microscopy
原子探针显微镜对多晶硅中掺杂剂分布的三维表征
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Appl. Phys. Lett. 93
影响因子： --
作者： [K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, T. T sunomura, T. Toyama, Y. Nagai, M. Hasegawa]
通讯作者： M. Hasegawa
ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察
多晶硅栅极中杂质原子晶界偏析的3D观察
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸]
通讯作者： 長谷川雅幸
3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析
使用 3D 原子探针分析 MOS 晶体管中的掺杂剂分布
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [高見澤悠, 井上耕治, 矢野史子, 角村貴昭, 西田彰男, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸, 井上耕治, 井上耕治]
通讯作者： 井上耕治
レーザ3次元アトムプローブによるMOSFET構造Poly-Siゲート中のドーパント分布解析
使用激光 3D 原子探针分析 MOSFET 结构多晶硅栅极中的掺杂剂分布
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 高見澤悠, 永井康介, 長谷川雅幸]
通讯作者： 長谷川雅幸
共 16 条
    Creep degradation assessment for creep-strength-enhanced ferritic steels by positron annihilation spectroscopy
    • 批准号：
      24760573
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      INOUE Koji
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Mechanisms to detoxify hydrogen sulfide using special amino acids in deep-sea organisms
    • 批准号：
      22380107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.73万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      INOUE Koji
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Manycore Processors for On-chip Supercomputing
    • 批准号：
      21680005
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $16.89万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      INOUE Koji
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Elucidation of adaptation mechanisms to deep-sea hydrothermal vents through analysis of an amino acid transporter.
    • 批准号：
      19380110
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      INOUE Koji
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    国内基金
    海外基金
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      于安宁
    • 依托单位：
      重庆科技大学
    SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号：
      2024JJ5044
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吴丽娟
    • 依托单位：
      长沙理工大学