High-k gate dielectrics investigated by laser-assisted three dimensional atom probe tomography

通过激光辅助三维原子探针断层扫描研究高 k 栅极电介质

• 批准号: 20760212
• 负责人: INOUE Koji
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760212/
• 关键词: アトムプローブ; MOSFET; High-k; ドーパント; 微細化; 3次元アトムプローブ; MOSトランジスタ; High-Kゲート酸化膜

The dopant distributions and high-k gate dielectrics in metal-oxide-semiconductor field effect transistor structure were analyzed by three dimensional atom probe tomography. The remarkable difference of dopant distribution between n-MOSFET and p-MOSFET was clearly observed. Futher investigations are needed for the high-k gate dielectrics structures obtained by three dimensional atom probe tomography.

利用三维原子探针层析技术分析了金属氧化物半导体场效应晶体管结构中的掺杂分布和高k栅介电常数。在n-MOSFET和p-MOSFET中掺杂分布的显著差异被清楚地观察到。利用三维原子探针层析技术获得的高介电常数栅介质结构还需要进一步的研究。

项目成果

Three dimensional characterization of dopant distribution in polycrystalline silicon by atom probe microscopy

原子探针显微镜对多晶硅中掺杂剂分布的三维表征

• 发表时间: 2008
• 期刊: Appl. Phys. Lett. 93
• 作者: K. Inoue;F. Yano;A. Nishida;T. T sunomura;T. Toyama;Y. Nagai;M. Hasegawa
• 通讯作者: M. Hasegawa

ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察

多晶硅栅极中杂质原子晶界偏析的3D观察

• 发表时间: 2008
• 作者: 井上耕治;矢野史子;西田彰男;外山健;永井康介;長谷川雅幸
• 通讯作者: 長谷川雅幸

3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析

使用 3D 原子探针分析 MOS 晶体管中的掺杂剂分布

• 发表时间: 2010
• 作者: 高見澤悠;井上耕治;矢野史子;角村貴昭;西田彰男;外山健;永井康介;長谷川雅幸;井上耕治;井上耕治
• 通讯作者: 井上耕治

レーザ3次元アトムプローブによるMOSFET構造Poly-Siゲート中のドーパント分布解析

使用激光 3D 原子探针分析 MOSFET 结构多晶硅栅极中的掺杂剂分布

• 发表时间: 2009
• 作者: 井上耕治;矢野史子;西田彰男;高見澤悠;永井康介;長谷川雅幸
• 通讯作者: 長谷川雅幸

陽電子量子ドット閉じ込めを利用したFe中Cuナノ析出物の寸法評価法の開発

利用正电子量子点限制开发 Fe 中 Cu 纳米沉淀物的尺寸评估方法

• 发表时间: 2009
• 期刊: 鉄と鋼 95
• 作者: 外山健;永井康介;唐政;井上耕治;千葉利信;長谷川雅幸;大久保忠勝;宝野和博
• 通讯作者: 宝野和博