Formation of quantum nano-wire by polarization interaction between ferroelectric and polar semiconductor

通过铁电体和极性半导体之间的极化相互作用形成量子纳米线

• 批准号: 20760201
• 负责人: YOSHIMURA Takeshi
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760201/
• 关键词: 強誘電体薄膜; 極性半導体; 量子デバイス; 走査プローブ顕微鏡; ドメイン; 分極

The aim of this study is the formation of quantum nano-wires not physically but electrically. It can be expected that the quantum nano-wire is formed by nano-size ferroelectric domain formed by scanning probe microscopy at an interface between a ferroelectric and a polar semiconductor with almost same spontaneous polarizations. When a micro probe is scanned with applying voltage on the channel region of a fabricated sample, modulation of drain current corresponding to the position of the probe was observed, which indicates the possibility of the realization of the device proposing in this study.

这项研究的目的是形成量子纳米线，不是物理上的，而是电子上的。可以预期，量子纳米线是由扫描探针显微镜在铁电体和极性半导体之间的界面上形成的纳米尺寸的铁电畴形成的，其自发极化几乎相同。当微探头在加工样品的沟道区施加电压扫描时，观察到与探头位置对应的漏电流调制，这表明了本研究中提出的器件实现的可能性。

项目成果

Analysis of carrier modulation in channel of ferroelectric-gate transistors having polar semiconductor

• DOI: 10.1016/j.tsf.2009.09.185
• 发表时间: 2010-03
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: T. Fukushima;T. Yoshimura;K. Masuko;K. Maeda;A. Ashida;N. Fujimura

RMnO3/ZnOへテロ構造デバイスのチャネル伝導特性

RMnO3/ZnO异质结构器件的沟道传导特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 山田裕明;福島匡泰;吉村武;藤村紀文
• 通讯作者: 藤村紀文

YMnO_3/ZnOヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なデバイスII

利用 YMnO_3/ZnO 异质结构 II 中偏振相互作用的新型器件

• 发表时间: 2009
• 作者: 坂本真哉;福島匡泰;吉村武;前田和弘;芦田淳;藤村紀文
• 通讯作者: 藤村紀文

YMnO3/ZnOヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なデバイスII

利用 YMnO3/ZnO 异质结构 II 中偏振相互作用的新型器件

• 发表时间: 2009
• 作者: 坂本真哉;福島匡泰;吉村武;前田和弘;芦田淳;藤村紀文
• 通讯作者: 藤村紀文

YMnO3/ZnOヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なナノデバイス

利用 YMnO3/ZnO 异质结构中的极化相互作用的新型纳米器件

• 发表时间: 2008
• 作者: 坂本真哉;福島匡泰;吉村武;前田和弘;芦田淳;藤村紀文
• 通讯作者: 藤村紀文