New methods of Si nanopore formation for DNA sequencing

用于 DNA 测序的硅纳米孔形成新方法

• 批准号: 20760495
• 负责人: IKOMA Yoshifumi
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760495/
• 关键词: ナノポア; ナノプロセス; 化学気相堆積法; シリコン; シリコンカーバイド; パルスジェットCVD; 形成位置制御

A nanometer-sized pore (nanopore) is attractive for applications to molecular sensors such as DNA sequencers. We investigated the formation of nanopores obtained by utilizing the {111} faceted pit formation during the chemical vapor deposition of the SiC growth on Si substrates. It was found that the nanopores with the size of several 10 nm were obtained on a Si membrane which was formed by anisotropic etching of a SOI substrate.

纳米尺寸的孔（纳米孔）对于诸如DNA测序仪的分子传感器的应用具有吸引力。我们研究了通过利用在Si衬底上生长的SiC的化学气相沉积过程中的{111}刻面凹坑形成而获得的纳米孔的形成。结果表明，在SOI衬底上通过各向异性刻蚀形成的Si膜上，可以得到尺寸为几十nm的纳米孔。

项目成果

Formation of nanopores utilizing SiC heteroepitaxial growth on SOI(100) : Pit faced orientation

利用 SOI(100) 上 SiC 异质外延生长形成纳米孔：坑面取向

• 发表时间: 2010
• 作者: Yahaya Hafizal;崎田博文;西野勇太;生駒嘉史;本岡輝昭
• 通讯作者: 本岡輝昭

SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板へのナノボア形成(IV)

使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 SOI 衬底上形成纳米孔 (IV)

• 发表时间: 2009
• 作者: 生駒嘉史;栗山恵司;崎田博文;ハフィザル ビンヤハヤ;本岡輝昭
• 通讯作者: 本岡輝昭

SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したsoI基板へのナノボア形成(III)

使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 soI 衬底上形成纳米孔 (III)

• 发表时间: 2009
• 作者: ハフィザル ビンヤハヤ;栗山恵司;崎田博文;生駒嘉史;本岡輝昭
• 通讯作者: 本岡輝昭

SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板へのナノポア形成(IV)

使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 SOI 衬底上形成纳米孔 (IV)

• 发表时间: 2009
• 作者: 生駒嘉史;栗山恵司;崎田博文;ハフィザルビンヤハヤ;本岡輝昭
• 通讯作者: 本岡輝昭

Microscopic observation of Nanopores formed in SIMOX(100)utilizing methylsilane pulse jet CVD

利用甲基硅烷脉冲喷射 CVD 显微观察 SIMOX(100) 中形成的纳米孔

• 发表时间: 2011
• 作者: Hafizal Yahaya;Yoshifumi Ikoma;Teruaki Motooka
• 通讯作者: Teruaki Motooka