New methods of Si nanopore formation for DNA sequencing
New methods of Si nanopore formation for DNA sequencing
用于 DNA 测序的硅纳米孔形成新方法
批准号：
20760495
负责人：
IKOMA Yoshifumi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
中文摘要
翻译
纳米孔对于分子传感器（如DNA测序仪）的应用具有吸引力。我们研究了在Si衬底上化学气相沉积SiC生长过程中利用{111}面坑形成纳米孔的形成。结果表明，在SOI衬底的各向异性蚀刻形成的硅膜上，可以得到几个10 nm大小的纳米孔。
英文摘要
A nanometer-sized pore (nanopore) is attractive for applications to molecular sensors such as DNA sequencers. We investigated the formation of nanopores obtained by utilizing the {111} faceted pit formation during the chemical vapor deposition of the SiC growth on Si substrates. It was found that the nanopores with the size of several 10 nm were obtained on a Si membrane which was formed by anisotropic etching of a SOI substrate.
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Formation of nanopores utilizing SiC heteroepitaxial growth on SOI(100) : Pit faced orientation
利用 SOI(100) 上 SiC 异质外延生长形成纳米孔：坑面取向
利用 SOI(100) 上 SiC 异质外延生长形成纳米孔：坑面取向
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yahaya Hafizal, 崎田博文, 西野勇太, 生駒嘉史, 本岡輝昭]
通讯作者：
本岡輝昭
SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板へのナノボア形成(IV)
使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 SOI 衬底上形成纳米孔 (IV)
使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 SOI 衬底上形成纳米孔 (IV)
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[生駒嘉史, 栗山恵司, 崎田博文, ハフィザル ビンヤハヤ, 本岡輝昭]
通讯作者：
本岡輝昭
SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したsoI基板へのナノボア形成(III)
使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 soI 衬底上形成纳米孔 (III)
使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 soI 衬底上形成纳米孔 (III)
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[ハフィザル ビンヤハヤ, 栗山恵司, 崎田博文, 生駒嘉史, 本岡輝昭]
通讯作者：
本岡輝昭
SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板へのナノポア形成(IV)
使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 SOI 衬底上形成纳米孔 (IV)
使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 SOI 衬底上形成纳米孔 (IV)
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[生駒嘉史, 栗山恵司, 崎田博文, ハフィザルビンヤハヤ, 本岡輝昭]
通讯作者：
本岡輝昭
Microscopic observation of Nanopores formed in SIMOX(100)utilizing methylsilane pulse jet CVD
利用甲基硅烷脉冲喷射 CVD 显微观察 SIMOX(100) 中形成的纳米孔
利用甲基硅烷脉冲喷射 CVD 显微观察 SIMOX(100) 中形成的纳米孔
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hafizal Yahaya, Yoshifumi Ikoma, Teruaki Motooka]
通讯作者：
Teruaki Motooka
共 16 条
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