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High growth-rate hydride-vapor-phase of aluminum nitride

氮化铝的高生长速率氢化物气相

基本信息

批准号：
21560014
负责人：
MIYAKE Hideto
金额：
$ 3.08万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560014/
关键词：
窒化物半導体窒化アルミニウム AlN ハイドライド気相成長法 HVPE 選択横方向成長加工基板エッチピット AIN 貫通転位 EPD法ファセット制御紫外線発光ハイドライド気相エピタキシャル成長触媒作用横方向成長 ELO

项目摘要

AlN is an attractive substrate for short-wavelength optoelectronics devices based on AlGaN. For growth of AlN and AlGaN, lateral overgrowth using a patterned substrate is useful for control of dislocation penetration, because selective-area growth with masks, such as SiO2, cannot be applied. In this study, thick AlN films were grown by HVPE on AlN/sapphire stripe patterned seeds with triangular shape in cross section, and the TDs density on the surface of HVPE-grown films was reduced one order of magnitude from a AlN film without pattern seeds. We also have investigated threading dislocations(TDs) in epitaxial AlN films by etch-pit method. Epitaxial AlN films were etched by mixed acid solution(KOH+ NaOH). The etch-pits were classified into TD groups by those sizes.

氮化铝是一种有吸引力的短波长光电子器件的AlGaN基片。对于AlN和AlGaN的生长，使用图案化衬底的横向过生长对于控制位错渗透是有用的，因为不能应用利用掩模（例如SiO2）的选择性区域生长。在本研究中，通过HVPE生长厚AlN薄膜上的AlN/蓝宝石条纹图案化的种子具有三角形的横截面，和HVPE生长的薄膜的表面上的TDs的密度降低了一个数量级的AlN薄膜没有图案的种子。我们还用腐蚀坑法研究了外延AlN薄膜中的穿透位错。采用混合酸溶液（KOH+ NaOH）腐蚀AlN外延膜。根据这些尺寸将蚀刻坑分为TD组。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth

DOI：
10.1002/pssc.201001186
发表时间：
2011-07
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
0
作者：
Reina Miyagawa;Shibo Yang;H. Miyake;K. Hiramatsu
通讯作者：
Reina Miyagawa;Shibo Yang;H. Miyake;K. Hiramatsu

Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN

DOI：
10.1143/apex.4.042103
发表时间：
2011-03
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
通讯作者：
Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida

Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam

电子束激发深紫外发射硅掺杂AlGaN