Control of Deep Ultra-violet Emission and Modulation Epitaxy of Nitride Semicondusturs.

氮化物半导体深紫外发射和调制外延的控制。

基本信息

  • 批准号:
    24560010
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Effects of thermal cleaning on surface of free-standing GaN substrates
热清洗对自支撑 GaN 衬底表面的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shunsuke Okada;Hideto Miyake;Kazumasa HIramatsu,
  • 通讯作者:
    Kazumasa HIramatsu,
Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
具有晶格弛豫层的蓝宝石上 AlGaN 多量子阱的制备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kazuhiro Nakahama;Fumitsugu Fukuyo;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Harumasa Yoshida;Yuji Kobayashi
  • 通讯作者:
    Yuji Kobayashi
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MOVPE 沟槽模板生长高质量 AlN 中 Si 掺杂的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    G. Nishio;S. Yang;H. Miyake and K. Hiramatsu
  • 通讯作者:
    H. Miyake and K. Hiramatsu
Study on AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延AlN生长条件研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Daiki YASUI;Hideto MIYAKE; Kazumasa HIRAMATSU
  • 通讯作者:
    Kazumasa HIRAMATSU
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    $ 3.49万
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知道了