Control of Deep Ultra-violet Emission and Modulation Epitaxy of Nitride Semicondusturs.
氮化物半导体深紫外发射和调制外延的控制。
基本信息
- 批准号:24560010
- 负责人:
- 金额:$ 3.49万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
- DOI:10.1063/1.4807906
- 发表时间:2013-06-07
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Chichibu, S. F.;Miyake, H.;Uedono, A.
- 通讯作者:Uedono, A.
Effects of thermal cleaning on surface of free-standing GaN substrates
热清洗对自支撑 GaN 衬底表面的影响
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shunsuke Okada;Hideto Miyake;Kazumasa HIramatsu,
- 通讯作者:Kazumasa HIramatsu,
Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
具有晶格弛豫层的蓝宝石上 AlGaN 多量子阱的制备
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kazuhiro Nakahama;Fumitsugu Fukuyo;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Harumasa Yoshida;Yuji Kobayashi
- 通讯作者:Yuji Kobayashi
Effects of Si doping in high-quality AlN grown by MOVPE on trench-patterned template
MOVPE 沟槽模板生长高质量 AlN 中 Si 掺杂的影响
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:G. Nishio;S. Yang;H. Miyake and K. Hiramatsu
- 通讯作者:H. Miyake and K. Hiramatsu
Study on AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延AlN生长条件研究
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Daiki YASUI;Hideto MIYAKE; Kazumasa HIRAMATSU
- 通讯作者:Kazumasa HIRAMATSU
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