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Control of Deep Ultra-violet Emission and Modulation Epitaxy of Nitride Semicondusturs.

Control of Deep Ultra-violet Emission and Modulation Epitaxy of Nitride Semicondusturs.
氮化物半导体深紫外发射和调制外延的控制。
批准号：
24560010
负责人：
MIYAKE Hideto
金额：
$3.49万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560010/
关键词：
窒化物半導体GaNAlN電子線励起紫外光源組成変調MOVPE窒化アルミニウムAlGaN多重量子井戸深紫外光源

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发表时间： 2014
期刊：
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通讯作者： Kazumasa HIramatsu,
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发表时间： 2013-06-07
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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发表时间： 2012
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影响因子： 1.8
作者： [G. Nishio, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu]
通讯作者： H. Miyake and K. Hiramatsu
共 33 条
    High growth-rate hydride-vapor-phase of aluminum nitride
    • 批准号：
      21560014
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      MIYAKE Hideto
    • 依托单位：
      Mie University
    Epitaxial Growth of AIGaN Using Selective Area Gmwth Technique
    • 批准号：
      18560010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.39万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      MIYAKE Hideto
    • 依托单位：
      Mie University
    国内基金
    海外基金
    低密度、高质量GaN/AlN量子点室温光泵浦单光子源
    • 批准号：
      62305005
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      盛博文
    • 依托单位：
      北京大学
    基于GaN量子点嵌入能带工程的AlN材料n型掺杂的研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      吴华龙
    • 依托单位：
      广东省科学院半导体研究所
    AlN/GaN分子层级超晶格的性能研究及其发光器件应用
    • 批准号：
      62174141
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      57万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      黄凯
    • 依托单位：
      厦门大学
    基于光电倍增循环结构的GaN/AlN量子阱Far-UVC LED器件研究
    • 批准号：
      62174061
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      60万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      戴江南
    • 依托单位：
      华中科技大学