刷新
{{item.name}}会员
In-situ micro-structure fabrication of semiconductor device using maskless selective growth with FIB
利用 FIB 无掩模选择性生长原位微结构制造半导体器件
基本信息
- 批准号：21560327
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The maskless selective epitaxy(MLSE) of III-V semiconductor compounds could become an important technique in the preparation of complex integrated device structures such as optoelectronic integrated circuits(OEICs). Focused ion beam(FIB) technology is useful for semiconductor maskless processes such as doping, ion beam assisted etching and deposition in high vacuum. Recently, we investigated on Sn high doped-GaAs, and we successfully fabricated MLSE growth layers of n-and p-GaAs. Using the result, we attempted in fabricating selective p-n junctions and succeeded in-situ pn junction device formation.
III-V族半导体化合物的无掩模选择性外延（MLSE）可以成为制备复杂集成器件结构（例如光电集成电路（OEIC））的重要技术。聚焦离子束（FIB）技术可用于半导体无掩模工艺，例如掺杂、离子束辅助蚀刻和高真空中的沉积。最近，我们研究了Sn高掺杂GaAs，并成功地制备了n型和p型GaAs的MLSE生长层。利用此结果，我们尝试制作选择性p-n结，并成功地在原位形成pn结器件。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ionbeam
使用低能 Sn-Ga 聚焦离子束进行 n-GaAs 无掩模选择性生长和掺杂
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Suzuki;K. Nobuhara;H. Takeda;M. Mokhtar and K. Pak
- 通讯作者：M. Mokhtar and K. Pak
Study of maskless selective growth and evaluation of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
使用低能 Sn-Ga 聚焦离子束进行 GaAs 无掩模选择性生长和评估的研究
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Mokhtar;M. Ishikawa;M. Hisada and K. Pak
- 通讯作者：M. Hisada and K. Pak
A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
低能Sn-Ga聚焦离子束原位掺杂无掩模选择性生长GaAs的研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Takeda;M.Mokhtar;M.Ishikawa;K.Pak
- 通讯作者：K.Pak
Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
使用低能 Sn-Ga 聚焦离子束进行 n-GaAs 无掩模选择性生长和掺杂
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Suzuki;K. Nobuhara;H. Takeda;M. Mokhtar;K. Pak
- 通讯作者：K. Pak
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
PAK Kangsa其他文献
PAK Kangsa的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('PAK Kangsa', 18)}}的其他基金
A study on maskless selective epitaxy of compound semiconductor using low energy FIB
低能FIB化合物半导体无掩模选择性外延研究
- 批准号：
14550298 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
カルコパイライト系化合物半導体中アルカリ金属誘起酸化効果の理解の深化と特性改善
加深对碱金属诱导氧化效应的认识并改善黄铜矿基化合物半导体的性能
- 批准号：
24K08256 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Stream 2: South Wales Compound Semiconductor Place Based Impact Accelerator
分流 2：南威尔士化合物半导体地方影响加速器
- 批准号：
EP/Y024184/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Research Grant
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士（博士升读 1 3）
- 批准号：
2888740 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
- 批准号：
2881704 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
- 批准号：
2882476 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
- 批准号：
2881702 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
化合物半导体单片先进单一转换光子集成电路的开发与应用
- 批准号：
23H00272 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Prog 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士生 1 3）
- 批准号：
2881678 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship
Development of active gate drivers for compound-semiconductor-based Net Zero energy systems
为基于化合物半导体的净零能源系统开发有源栅极驱动器
- 批准号：
2888285 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
- 批准号：
2882390 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Studentship