Application of chemical lift-off process to the fabrication of vertical ultra-violet LEDs

化学剥离工艺在垂直紫外LED制造中的应用

• 批准号: 21360001
• 负责人: YAO Takafumi
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360001/
• 关键词: 窒化物半導体; LED; 紫外LED; ケミカル・リフト・オフ; 発光ダイオード(LED); GaN; AlGaN; InGaN; CrN; ケミカルリフトオフ; 窒化

Recently, blue LEDs and white LEDs have been already in the commercial market and are widely used in our daily life. In order to apply the LED technology to general lighting, high-brightness LEDs emitting uv light are highly demanded. To this end, we propose to apply the chemical lift-off (CLO)technique to detach sapphire substrates after growing uv LED structures to fabricate vertical LED structures.We have demonstrated the fabrication of 385-nm band high-brightness uv LEDs by means of CLO technique. The emitting wavelength can be tuned by adjusting the composition of In in the active InGaN/GaN QW layers. The emission intensity has been greatly improved by adapting proper AlGaN cladding structures. These achievements can be applied to the fabrication of deep uv LEDs.

最近，蓝光LED和白光LED已经进入了商业市场，并在日常生活中得到了广泛的应用。为了将LED技术应用于普通照明，对发射紫外光的高亮度LED提出了很高的要求。为此，我们提出将化学剥离技术应用于生长紫外光LED结构后的蓝宝石衬底分离，以制备垂直LED结构，并利用化学剥离技术制备了385 nm波段高亮度紫外光LED。发射波长可以通过调节有源InGaN/GaN量子阱中In的成分来调节。通过采用合适的AlGaN包层结构，大大提高了器件的发射强度。这些研究成果可应用于深紫外光LED的制备。

项目成果

Suppression of composition modulation in In-rich InxGa1-xN layer with high In content (x similar to 0.67)

高 In 含量的富 InxGa1-xN 层中成分调制的抑制（x 类似于 0.67）

• DOI: 10.1002/pssa.201127307
• 发表时间: 2011
• 期刊: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
• 影响因子: 2
• 作者: Jeong;M; Lee;HS; Han;SK; Shin;EJ; Hong;SK; Lee;JY; Song;JH; Yao;T
• 通讯作者: T

X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy

等离子体辅助分子束外延生长在蓝宝石衬底上的 CrN 表面控制 ZnO 极性的 X 射线光电子能谱研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Surface Science
• 影响因子: 6.7
• 作者: Chang JH;Jung MN;Park JS;Park SH;Im IH;Lee HJ;Ha JS;Fujii K;Hanada T;Yao T;Murakami Y;Ohtsu N;Kil GS
• 通讯作者: Kil GS

Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers

a 面取向 GaN 层中具有优先取向的错误取向晶粒

• 发表时间: 2011
• 期刊: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
• 影响因子: 1.8
• 作者: Tokumoto;Y ; Lee;HJ ; Ohno;Y ; Yao;T ; Yonenaga;I
• 通讯作者: I

Hydride vapor phase epitaxy of GaN on the vicinal c-sapphire with a CrN interlayer

具有 CrN 中间层的邻位 c 蓝宝石上的 GaN 氢化物气相外延

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Lee HJ;Ha JS;Lee HJ;Lee SW;Lee SH;Goto H;Hong SK;Cho MW;Yao T;Fujito K;Shimoyama K;Namita H;Nagao S
• 通讯作者: Nagao S

Photo-electro-chemical properties of GaN

GaN的光电化学性质

• 发表时间: 2010
• 作者: Fujii;K.;Goto;T.;Yao;T.
• 通讯作者: T.