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Characterization of Defect Levels with Energy and Spatial Distribution by Deep Level Microscope
通过深层次显微镜表征缺陷水平的能量和空间分布
基本信息
- 批准号：21360003
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
By utilizing both above-gap and below-gap excitation sources with a gated CCD camera, the scheme of two-wavelength excited photoluminescence has been improved to detect nonradiative recombination (NRR) centers in various materials. An energy distribution of NRR centers at around 1.55eV was obtained in an InGaN quantum well. Detection of NRR centers in InGaAs quantum wells and Ba_3Si_6O_<12>N_2:Eu^<2+> phosphors became possible for the first time.
通过利用带隙上和带隙下的激发源和门控CCD相机，改进了双波长激发光致发光方案，以检测各种材料中的非辐射复合（NRR）中心。在InGaN量子阱中得到了NRR中心在1.55eV附近的能量分布。首次实现了InGaAs量子阱威尔斯和Ba_3Si_6O_<12>N_2：Eu^<2+>荧光粉中NRR心的探测。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ba_3Si_6O_<12>N_2 : Eu^<2+>蛍光体のフォトー及び熱ルミネッセンス評価
Ba_3Si_6O_<12>N_2：Eu^<2+>荧光粉的光致发光和热致发光评价
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石岡亮;五十嵐航平;福田武司;木島直人;鎌田憲彦
- 通讯作者：鎌田憲彦
Marked Efficiency Enhancement of AlGaN-based Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier
使用多量子势垒显着提高基于 AlGaN 的深紫外 LED 的效率
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Tsukada;H. Hirayama;N. Kamata
- 通讯作者：N. Kamata
Efficiency Enhancement in AlGaN Deep-UV LEDs using High-Refle ctivity Al-based p-type Electrode (IWN2010ベストポスター賞受賞)
使用高反射率铝基 p 型电极提高 AlGaN 深紫外 LED 的效率（IWN2010 最佳海报奖获得者）
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Akiba;H.Hirayama;Y.Tsukada N.Maeda;N.Kamata
- 通讯作者：N.Kamata
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- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：平山秀樹;N.Noguchi;鎌田憲彦
- 通讯作者：鎌田憲彦
Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs
采用 NH3 脉冲流法生长扁平薄 p-GaN 接触层，用于高光提取 AlGaN 深紫外 LED
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Akiba;Y. Tomita;H. Hirayama;Y. Tsukada;N. Maeda;N. Kamata
- 通讯作者：N. Kamata
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- 批准号：
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