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Study on the Physical Properties of Ferromagnetic Nitride Semiconductor Quantum Nanostructures and their Device Application
铁磁氮化物半导体量子纳米结构物理性质及其器件应用研究
基本信息
- 批准号：21360010
- 负责人：
- 金额：$ 12.06万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In the multi-quantum well(MQW) structures consisting of rare-earth atom doped magnetic nitride semiconductor and non-magnetic nitride semiconductor, enhanced magnetization was observed. By Si co-doping, further enhancement was observed. These enhancements are understood by the effect of carrier increase in the magnetic semiconductor layers and the enhancement in the interaction between carrier spin and magnetic atom spin. In this MQW sample, large energy shift of photoluminescence(PL) peak was observed due to the magnetic atom doping effect. The possibility of the control of easy magnetization axis was demonstrated. The quantum disk structures and circular-polarized light emitting diode structures were grown and PL emission was observed.
在由磁性氮化物半导体和非磁性氮化物半导体组成的多量子阱结构中，观察到了增强的磁化强度。通过Si共掺杂，观察到进一步的增强。这些增强通过磁性半导体层中载流子增加的效应以及载流子自旋与磁性原子自旋之间的相互作用的增强来理解。在这种多量子阱样品中，由于磁原子掺杂效应，观察到光致发光（PL）峰的大的能量移动。论证了控制易磁化轴的可能性。生长了量子盘结构和圆偏振光发光二极管结构，并观察到了光致发光。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth and characterization of GaN-based dilute magnetic semicondcutors and their nanostructures
GaN基稀磁半导体及其纳米结构的生长和表征
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Hasegawa;Y. K. Zhou;S. Emura and H. Asahi
- 通讯作者：S. Emura and H. Asahi
強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(招待講演)
使用铁磁半导体的光半导体自旋电子器件（特邀报告）
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：朝目一;長谷川繁彦;周逸凱;江村修一
- 通讯作者：江村修一
Low-temperature molecular beam epitaxy growth and properties of GaGdN nanorods
GaGdN纳米棒的低温分子束外延生长及其性能
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Tambo;S.Hasegawa;H.Kameoka;Y.K.Zhou;S.Emura;H.Asahi
- 通讯作者：H.Asahi
Large magneto-optical effect in low-temperature-grown GaCrN and GaCrN:Si
- DOI：10.1002/pssc.201100504
- 发表时间：2012-03
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Zhou;P. Fan;S. Emura;S. Hasegawa;H. Asahi
- 通讯作者：Y. Zhou;P. Fan;S. Emura;S. Hasegawa;H. Asahi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Study on Room Temperature Ferromagnetic Nitride Semiconductor Nanostructures and Nanospintronics Device Application
室温铁磁氮化物半导体纳米结构及纳米自旋电子器件应用研究
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18360009 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 12.06万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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- 资助金额：
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- 资助金额：
$ 12.06万 - 项目类别：
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21760599 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 12.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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12750259 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 12.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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黑磷单晶半导体性能的实验与理论研究
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弾性表面波の半導体物性研究への応用
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X00090----255007 - 财政年份：1977
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$ 12.06万 - 项目类别：
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