Fundamental study on nonpolar AlInN alloys for polarized UV light emitting devices

用于偏振紫外发光器件的非极性AlInN合金的基础研究

• 批准号: 21760227
• 负责人: ONUMA Takeyoshi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Tokyo National College of Technology (2010)Tohoku University (2009)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760227/
• 关键词: 窒化物半導体; AlInN; 結晶成長; 光物性; 非極性面; 表面再結合; 結晶工学; エピタキシャル; 半導体物性

In order to develop the potential ability of nonpolar AlInN alloys for polarized UV light emitters, m-plane AlInN films were grown by metal organic vapor phase epitaxy. Polarization characteristics of the near-band-edge emission in the films suffering from anisotropic stresses were analyzed by theoretical calculation for energies and oscillator strengths of the exciton transitions. Also, studies on the carrier recombination processes at the GaN surfaces indicated the polarization-induced electric field affects the surface recombination in GaN.

为了开发非极性AlInN合金作为偏振紫外光发射器的潜在能力，通过金属有机气相外延生长了m面AlInN薄膜。通过激子跃迁的能量和振子强度的理论计算，分析了受到各向异性应力作用的薄膜中近带边发射的偏振特性。此外，对 GaN 表面载流子复合过程的研究表明，极化感应电场会影响 GaN 的表面复合。

项目成果

Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals

六方氮化镓晶体的表面复合机制

• 发表时间: 2010
• 作者: N.Sakai;T.Onuma;T.Okuhata;A.A.Yamaguchi T.Honda
• 通讯作者: A.A.Yamaguchi T.Honda

自立GaN基板へのm面Al_<1-x>In_xN薄膜のMOVPE成長

自支撑 GaN 衬底上 m 面 Al_<1-x>In_xN 薄膜的 MOVPE 生长

• 发表时间: 2010
• 作者: 秩父重英;羽豆耕治;尾沼猛儀
• 通讯作者: 尾沼猛儀