Study of the fabrication and properties of the integration between Si-MEMS structure and nitride electronic and photonic devices

Si-MEMS结构与氮化物电子光子器件集成的制备及性能研究

基本信息

  • 批准号：
    21760244
  • 负责人：
    HU FANGREN
  • 金额：
    $ 2.83万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2009
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2009 至 2011
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

Nitride semiconductor quantum-well, quantum dots and light-emitting diode structure were deposited on the flat Si, Si microstructure and Si-MEMS structure. High quantum efficiency and high emission were observed. Also, AlGaN/GaN HEMT was fabricated and typical transistor I/V property was obtained. Furthermore, micro pressure transducer was fabricated with the AlGaN/GaN HEMT by Si-micromaching process and the related properties were evaluated. The characteristics of the fabricated transistors were measured.
在平坦的硅、硅微结构和硅-MEMS结构上沉积了氮化物半导体量子阱、量子点和发光二极管结构。观察到高量子效率和高发射。制作了AlGaN/gan HEMT，获得了典型的晶体管I/V特性。在此基础上，采用硅微机械工艺制作了AlGaN/gan HEMT微压传感器，并对其相关性能进行了测试。测试了所制得的晶体管的特性。

项目成果

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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fabrication and characterization of freestanding circular GaN gratings.
  • DOI：
    10.1364/oe.18.000773
  • 发表时间：
    2010-01
  • 期刊：
    Optics express
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Yongjin Wang;F. Hu;H. Sameshima;K. Hane
  • 通讯作者：
    Yongjin Wang;F. Hu;H. Sameshima;K. Hane
Monolithically integration of GaN light-emitting diode and Si substrate with AlN/GaN superlattice as interlayer
以AlN/GaN超晶格为中间层的GaN发光二极管与Si衬底的单片集成
  • DOI：
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    F.R.Hu;M.Wakui;H.Sameshima;R.Ito;K.Hane
  • 通讯作者：
    K.Hane
Patterned growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN grating by molecular beam epitaxy.
  • DOI：
    10.1186/1556-276x-6-117
  • 发表时间：
    2011-02-04
  • 期刊：
    Nanoscale research letters
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Wang Y;Hu F;Hane K
  • 通讯作者：
    Hane K
Large area, freestanding GaN nanocolumn membrane with bottom subwavelength nanostructure.
  • DOI：
    10.1364/oe.18.005504
  • 发表时间：
    2010-03
  • 期刊：
    Optics express
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Yongjin Wang;F. Hu;Y. Kanamori;Tong Wu;K. Hane
  • 通讯作者：
    Yongjin Wang;F. Hu;Y. Kanamori;Tong Wu;K. Hane
Comb-drive GaN micro-mirror on a GaN-on-silicon platform
  • DOI：
    10.1088/0960-1317/21/3/035012
  • 发表时间：
    2011-03
  • 期刊：
    Journal of Micromechanics and Microengineering
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Yongjin Wang;Takashi Sasaki;Tong Wu;F. Hu;K. Hane
  • 通讯作者：
    Yongjin Wang;Takashi Sasaki;Tong Wu;F. Hu;K. Hane
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    $ 2.83万
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