Development of eco-friendly surface treatment technique for photovoltaic crystalline Si substrate by using fluorine resigns

光伏晶硅基板氟树脂环保表面处理技术开发

• 批准号: 21686014
• 负责人: OHMI Hiromasa
• 金额: $ 14.23万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21686014/
• 关键词: 太陽電池; シリコン; プラズマ; 表面処理; 大気圧; エッチング; フッ素樹脂; VHFプラズマ; 地球温暖化ガス; ドライエッチング; 高圧力; 準大気圧; 化学輸送法; 大気圧プラズマ; PTFE

We have successfully developed the surface treatment method for crystalline Si substrate. This developed method can operate near atmospheric pressure and needs no perfluoro carbon gases with high global warming potential as etchant source. By using this developed method, we have achieved a high efficient removal of Si surface damaged layer, which degrades an efficiency of the solar cell device, and a reflectivity suppression of Si surface textured by this method.Moreover, we have systematically revealed a relationship between etching behavior and etching process condition.

我们成功地开发了晶体硅衬底的表面处理方法。该方法可以在大气压附近运行，不需要具有高全球变暖潜势的全氟碳气体作为蚀刻剂源。利用该方法，我们实现了对降低太阳能电池器件效率的硅表面损伤层的高效去除，并抑制了用该方法织构的硅表面的反射率。此外，我们还系统地揭示了蚀刻行为与蚀刻工艺条件之间的关系。

项目成果

PVJAPAN2010出展2010年7月(横浜)

2010年7月参加PVJAPAN2010（横滨）

大気圧プラズマ化学輸送法を用いたドライエッチング技術の開発

利用常压等离子体化学输运法的干法蚀刻技术的开发

• 发表时间: 2009
• 作者: 大参宏昌;垣内弘章;安武潔
• 通讯作者: 安武潔

PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure

使用窄间隙 VHF 等离子体在低于大气压下进行硅的无 PFC 干法蚀刻方法

• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of The Electrochemical Society 157
• 作者: Hiromasa Ohmi;azuya Kishimoto;Hiroaki Kakiuchi;Kiyoshi Yasutake
• 通讯作者: Kiyoshi Yasutake

高圧プラズマ固体ソースエッチング法におけるプラズマ励起周波数の影響

等离子体激发频率对高压等离子体固态源刻蚀方法的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: 大参宏昌;梅原弘毅;垣内弘章;安武潔
• 通讯作者: 安武潔

大気圧近傍でのプラズマ化学輸送を利用したシリコン材料プロセス

使用接近大气压的等离子体化学传输的硅材料工艺

• 发表时间: 2011
• 作者: S.Sunada;T.Harayama;K.Arai;K.Yoshimura;P.Davis;K.Tsuzuki;A.Uchida;大参宏昌
• 通讯作者: 大参宏昌