Surface atomic structure of compound semiconductors treated with active nitrogen species
活性氮物质处理的化合物半导体的表面原子结构
基本信息
- 批准号:22510117
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The initial nitridation processes of GaAs(001) have been systematically studied. The structure and composition of the nitrided surface strongly depends on the preparation condition. When the GaAs(001)-(2x4) surfaces were exposed to the active N species under the As4 flux, N atoms are initially incorporated into the As lattice site at the third atomic layer in the β2(2x4) structure. On the other hand, for the nitridation without the As4 flux, the N-induced (3x3) reconstructions are formed.
本文系统地研究了GaAs(001)的初始氮化过程。氮化层的结构和成分与制备条件密切相关。当GaAs(001)-(2x 4)表面在As 4助熔剂下暴露于活性N物种时,N原子最初并入β2(2x 4)结构中第三原子层的As晶格位置。另一方面,对于没有As 4助熔剂的氮化,形成N诱导的(3x 3)重构。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Atomic-scale characterization of the N incorporation on GaAs(001)
GaAs(001) 上 N 掺入的原子尺度表征
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Tsuji T;Ueno K;Yokota Y;Tsuji M;Misawa H;A. Ohtake
- 通讯作者:A. Ohtake
Atomic scale characterization of the N incorporation in GaAs (001)
GaAs (001) 中氮掺入的原子尺度表征
- DOI:10.1063/1.3609066
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Mary Clare Escano;Tien Quang Nguyen;Hideaki Kasai;辻 剛志;A.Ohtake
- 通讯作者:A.Ohtake
Initial nitridation processes of GaAs(001)
GaAs(001)的初始氮化过程
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉田岳人;梅津郁朗;杉村陽;辻剛志;A. Ohtake
- 通讯作者:A. Ohtake
活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造
活性氮物种辐照的 GaAs(001) 表面结构
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:角本宗一郎;梅津郁朗;杉村陽;吉田岳人;東 優磨; 辻 剛志; 辻 正治; 藤原 英樹; 石川 善恵; 越崎 直人;大竹晃浩
- 通讯作者:大竹晃浩
Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions
GaAs(001) 异质外延的初始阶段:吸附物诱导的表面重建
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:真田雄介;坂本俊介;坂下瑞葉;仁科孝一;中井啓太;遊佐真一;櫻井和朗;Akihiro Ohtake
- 通讯作者:Akihiro Ohtake
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