Surface atomic structure of compound semiconductors treated with active nitrogen species

活性氮物质处理的化合物半导体的表面原子结构

基本信息

  • 批准号:
    22510117
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The initial nitridation processes of GaAs(001) have been systematically studied. The structure and composition of the nitrided surface strongly depends on the preparation condition. When the GaAs(001)-(2x4) surfaces were exposed to the active N species under the As4 flux, N atoms are initially incorporated into the As lattice site at the third atomic layer in the β2(2x4) structure. On the other hand, for the nitridation without the As4 flux, the N-induced (3x3) reconstructions are formed.
本文系统地研究了GaAs(001)的初始氮化过程。氮化层的结构和成分与制备条件密切相关。当GaAs(001)-(2x 4)表面在As 4助熔剂下暴露于活性N物种时,N原子最初并入β2(2x 4)结构中第三原子层的As晶格位置。另一方面,对于没有As 4助熔剂的氮化,形成N诱导的(3x 3)重构。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Atomic-scale characterization of the N incorporation on GaAs(001)
GaAs(001) 上 N 掺入的原子尺度表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Tsuji T;Ueno K;Yokota Y;Tsuji M;Misawa H;A. Ohtake
  • 通讯作者:
    A. Ohtake
Atomic scale characterization of the N incorporation in GaAs (001)
GaAs (001) 中氮掺入的原子尺度表征
  • DOI:
    10.1063/1.3609066
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Mary Clare Escano;Tien Quang Nguyen;Hideaki Kasai;辻 剛志;A.Ohtake
  • 通讯作者:
    A.Ohtake
Initial nitridation processes of GaAs(001)
GaAs(001)的初始氮化过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉田岳人;梅津郁朗;杉村陽;辻剛志;A. Ohtake
  • 通讯作者:
    A. Ohtake
活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造
活性氮物种辐照的 GaAs(001) 表面结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    角本宗一郎;梅津郁朗;杉村陽;吉田岳人;東 優磨; 辻 剛志; 辻 正治; 藤原 英樹; 石川 善恵; 越崎 直人;大竹晃浩
  • 通讯作者:
    大竹晃浩
Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions
GaAs(001) 异质外延的初始阶段:吸附物诱导的表面重建
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    真田雄介;坂本俊介;坂下瑞葉;仁科孝一;中井啓太;遊佐真一;櫻井和朗;Akihiro Ohtake
  • 通讯作者:
    Akihiro Ohtake
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

OHTAKE Akihiro其他文献

OHTAKE Akihiro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('OHTAKE Akihiro', 18)}}的其他基金

Fabrication of ordered nanostructures of compound semiconductors
化合物半导体有序纳米结构的制备
  • 批准号:
    18510101
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

カルコパイライト系化合物半導体中アルカリ金属誘起酸化効果の理解の深化と特性改善
加深对碱金属诱导氧化效应的认识并改善黄铜矿基化合物半导体的性能
  • 批准号:
    24K08256
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
化合物半导体横向异质结的制备及其在电子器件中的应用
  • 批准号:
    21H01384
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率タンデム型太陽電池実現に向けた新規化合物半導体の創製
创造新型化合物半导体以实现高效串联太阳能电池
  • 批准号:
    21K04131
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Bi系化合物半導体量子ドットによる完全温度無依存レーザ
使用Bi基化合物半导体量子点的完全不受温度影响的激光器
  • 批准号:
    21K04914
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
化合物半導体表面上擬一次元鎖のスピン偏極電子構造
化合物半导体表面准一维链的自旋极化电子结构
  • 批准号:
    19J21516
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
暗室下における化合物半導体の変形挙動評価と転位物性の解明
暗室中化合物半导体变形行为的评估和位错特性的阐明
  • 批准号:
    19J10851
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超臨界流体反応を用いた化合物半導体モノレイヤの量産法の構築と光学特性制御
利用超临界流体反应构建化合物半导体单层的量产方法及光学性质的控制
  • 批准号:
    15J05197
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
IV族化合物半導体ナノ結晶コロイドの開発とデバイス応用実証
IV族化合物半导体纳米晶胶体研制及器件应用示范
  • 批准号:
    15J04138
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ワンチップ光電融合ルータに向けたシリコン-化合物半導体ハイブリッドデバイスの研究
单片光电集成路由器硅化合物半导体混合器件研究
  • 批准号:
    14J02327
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機金属気相選択成長法による化合物半導体ナノワイヤのナノ発光素子応用
有机金属气相选择性生长法化合物半导体纳米线在纳米发光器件中的应用
  • 批准号:
    13J01918
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了