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Rare-earth doped gallium nitride semiconductor light emitting device and their application

Rare-earth doped gallium nitride semiconductor light emitting device and their application
稀土掺杂氮化镓半导体发光器件及其应用
批准号：
22560328
负责人：
OKADA Hiroshi
金额：
$2.91万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560328/
关键词：
窒化物半導体発光デバイス希土類元素高電子移動度トランジスタイオン注入ヘテロ構造AlGaN/GaN２次元電子ガス2次元電子ガス

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Novel three-terminal light emitting device based-on rare-earth (Eu) implanted AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure by ion-implantation process was investigated. In luminescence spectra by current injection of the fabricated device, clear peaks suggesting luminescence due to the transition of innershell in rare-earth were confirmed. For system application of this light emitting device, their fabrication process and optical confinement were investigated. Potential for radiation hard light emitting device because of unipolar luminescence device was also investigated.
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会议论文
Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN:Eu Grown by MBE
氮源对 MBE 生长 GaN:Eu 掺杂性能的影响
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Suwa, Y.Takagi, H.Sekiguchi, H.Okada, A.Wakahara]
通讯作者： A.Wakahara
Development of Lattice-Matched GaPN/AlGaPN DBR on Si
Si 上晶格匹配 GaPN/AlGaPN DBR 的开发
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Nakayama, Kn Nakatani, S. Tsuji, M. Mori, K. Maezawa, Masahiko Nishimoto, H. Okada]
通讯作者： H. Okada
Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN : Eu Grown by MBE
氮源对 MBE 生长 GaN:Eu 掺杂性能的影响
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Suwa, Y.Takagi, H.Sekiguchi, H.Okada, A.Wakahara]
通讯作者： A.Wakahara
Effects of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE
NH3-MBE Mg 共掺杂对 GaN 中 Eu 位点的影响
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [Hiroshi Okada, Takanobu Suwa, Yasufumi Takagi, Hiroto Sekiguchi, and Akihiro Wakahara]
通讯作者： and Akihiro Wakahara
共 15 条
    Investigation of process technology for nitride semiconductor based integrated circuits for harsh environment electronics
    • 批准号：
      20K04579
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    Effects of Electorates' Candidate Orientations on Voting Behavior in Different Kinds of Elections
    • 批准号：
      16K03464
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.66万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Kanazawa University
    Three-dimensional fracture mechanics software platform enabling collaborative software development for building safe society
    • 批准号：
      22560149
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo University of Science
    Fatigue crack propagation analysis using the temporal multiscale analysis scheme
    • 批准号：
      19560096
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Kagoshima University
    海外基金