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Investigation of process technology for nitride semiconductor based integrated circuits for harsh environment electronics

Investigation of process technology for nitride semiconductor based integrated circuits for harsh environment electronics
用于恶劣环境电子产品的基于氮化物半导体的集成电路工艺技术研究
批准号：
20K04579
负责人：
OKADA Hiroshi
金额：
$2.75万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04579/
关键词：
窒化物半導体電子デバイス集積回路過酷環境エレクトロニクス集積回路技術プロセス技術絶縁膜形成技術窒化物半導体デバイスモノリシック集積回路電極形成絶縁膜堆積技術素子分離技術絶縁膜体積技術

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通讯作者： Ohshima Takeshi
共 7 条
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    • 批准号：
      16K03464
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.66万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Kanazawa University
    Three-dimensional fracture mechanics software platform enabling collaborative software development for building safe society
    • 批准号：
      22560149
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo University of Science
    Rare-earth doped gallium nitride semiconductor light emitting device and their application
    • 批准号：
      22560328
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    Fatigue crack propagation analysis using the temporal multiscale analysis scheme
    • 批准号：
      19560096
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      OKADA Hiroshi
    • 依托单位：
      Kagoshima University
    海外基金