Study on low temperature thin film formation method by controlling chemical bonds on solid surface
Study on low temperature thin film formation method by controlling chemical bonds on solid surface
控制固体表面化学键的低温薄膜形成方法研究
批准号：
22560713
负责人：
HABUKA Hitoshi
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
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英文摘要
In order to prepare the chemically active surface, we performed various methods, such as (1) the formation of thin silicon film, (2) plasma etching of silicon surface (removing native oxide and organic contamination). The silicon carbide thin film was formed using monomethylsilane gas on such the active surface with surveying its optimum condition. Based on the results, the silicon carbide thin film formation was tried on surfaces of aluminum, stainless steel and polyimide.
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Low Temperature SiC Film Deposition Using Trichlorosilane Gas and Monomethylsilane Gas
使用三氯硅烷气体和一甲基硅烷气体进行低温 SiC 薄膜沉积
使用三氯硅烷气体和一甲基硅烷气体进行低温 SiC 薄膜沉积
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
影响因子：
--
作者：
[Hitoshi Habuka, Yusuke Ando]
通讯作者：
Yusuke Ando
シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法
使用硅中间层的碳化硅薄膜低温形成方法
使用硅中间层的碳化硅薄膜低温形成方法
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Takeda, A Minowa, T. Oku, A. Suzuki, K. Kikuchi, Y. Yamasaki, 津地雅希,羽深等]
通讯作者：
津地雅希,羽深等
Amorphous Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition on Metal Surface Using Monomethylsilane Gas at Low Temperatures
低温下使用甲基硅烷气体在金属表面化学气相沉积非晶碳化硅
低温下使用甲基硅烷气体在金属表面化学气相沉积非晶碳化硅
DOI：
10.1016/j.surfcoat.2012.11.078
发表时间：
2013
期刊：
Surface and Coating Technology
影响因子：
--
作者：
[A.N.Itakura, Shoji Takagi, Shinji Suzuki, Tetsuji Gotoh, Yoshiharu Murase, Masahiro Tosa, Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji]
通讯作者：
Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R.Motoyoshi, T.Oku, H.Kidowaki, A.Suzuki, K.Kikuchi, S.Kikuchi, B.Jeyadevan, Hitoshi Habuka]
通讯作者：
Hitoshi Habuka
Development of Reactive Surface Preparation for Room Temperature Silicon Carbide Film Deposition from Monomethylsilane Gas
单甲基硅烷气体室温碳化硅薄膜沉积反应表面制备的发展
单甲基硅烷气体室温碳化硅薄膜沉积反应表面制备的发展
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Hitoshi Habuka, Ken-Ichi Kote]
通讯作者：
Ken-Ichi Kote
共 17 条
Study on interaction between molecules adsorbed on silicon surface using quartz crystal microbalance and the multi-component organic species adsorption-induced contamination model
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批准号：18560730
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.96万
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财政年份：2006
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负责人：HABUKA Hitoshi
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依托单位：
海外基金