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Study on low temperature thin film formation method by controlling chemical bonds on solid surface
控制固体表面化学键的低温薄膜形成方法研究
基本信息
- 批准号：22560713
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In order to prepare the chemically active surface, we performed various methods, such as (1) the formation of thin silicon film, (2) plasma etching of silicon surface (removing native oxide and organic contamination). The silicon carbide thin film was formed using monomethylsilane gas on such the active surface with surveying its optimum condition. Based on the results, the silicon carbide thin film formation was tried on surfaces of aluminum, stainless steel and polyimide.
为了制备具有化学活性的表面，我们采用了各种方法，如(1)形成薄的硅膜，(2)等离子体刻蚀硅表面(去除自然氧化物和有机污染物)。用单甲基硅烷气体在这样的活性表面上形成了碳化硅薄膜，并考察了其最佳条件。在此基础上，尝试在铝、不锈钢和聚酰亚胺表面形成碳化硅薄膜。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low Temperature SiC Film Deposition Using Trichlorosilane Gas and Monomethylsilane Gas
使用三氯硅烷气体和一甲基硅烷气体进行低温 SiC 薄膜沉积
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hitoshi Habuka;Yusuke Ando
- 通讯作者：Yusuke Ando
シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法
使用硅中间层的碳化硅薄膜低温形成方法
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Takeda;A Minowa;T. Oku;A. Suzuki;K. Kikuchi;Y. Yamasaki;津地雅希,羽深等
- 通讯作者：津地雅希,羽深等
Amorphous Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition on Metal Surface Using Monomethylsilane Gas at Low Temperatures
低温下使用甲基硅烷气体在金属表面化学气相沉积非晶碳化硅
- DOI：10.1016/j.surfcoat.2012.11.078
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A.N.Itakura;Shoji Takagi;Shinji Suzuki;Tetsuji Gotoh;Yoshiharu Murase;Masahiro Tosa;Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji
- 通讯作者：Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji
Silicon Carbide : New Materials, Production Methods and Applications
碳化硅：新材料、生产方法和应用
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R.Motoyoshi;T.Oku;H.Kidowaki;A.Suzuki;K.Kikuchi;S.Kikuchi;B.Jeyadevan;Hitoshi Habuka
- 通讯作者：Hitoshi Habuka
Development of Reactive Surface Preparation for Room Temperature Silicon Carbide Film Deposition from Monomethylsilane Gas
单甲基硅烷气体室温碳化硅薄膜沉积反应表面制备的发展
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Hitoshi Habuka;Ken-Ichi Kote
- 通讯作者：Ken-Ichi Kote
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