Direct patterningof oxide films by coplanar type surface discharge
共面型表面放电氧化膜直接图案化
基本信息
- 批准号:22560719
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Various techniques to prepare thin films have been reported during the decades. However, most of them basically require a high substrate temperature and/or a vacuum process. A novel thin film synthesis technique at low substrate temperature under ambient pressure should be developed. We focused on a coplanar surface discharge technique to meet the demand. Coplanar surface discharge is categorized to a dielectric barrier discharge in which high-energy plasma runs on the surface of an insulating substrate. In this study, we developed a coplanar surface discharge technique to prepare zinc oxide films.
在过去的几十年里,人们报道了各种制备薄膜的技术。然而,它们中的大多数基本上需要较高的衬底温度和/或真空工艺。开发一种新的常压低衬底温度薄膜合成技术。为了满足这一要求,我们重点研究了一种共面表面放电技术。共面表面放电被归类为介质阻挡放电,其中高能等离子体在绝缘衬底表面运行。在这项研究中,我们发展了一种共面表面放电技术来制备氧化锌薄膜。
项目成果
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Preparation of Transparent Conductive Films by SPD Technique and their Application to Dye-Sensitized Solar Cells
SPD技术制备透明导电薄膜及其在染料敏化太阳能电池中的应用
- DOI:10.4139/sfj.63.349
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:世利修美;蓑島創;奥谷昌之
- 通讯作者:奥谷昌之
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:竹村秀一郎;村本亮祐;関根裕介;岡崎壮平;坂井延寿;山田直臣;一杉太郎;長谷川哲也;奥谷昌之
- 通讯作者:奥谷昌之
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Hashida;M. Miyasaka;Y. Ikuta;T.Ogata;H. Sakagami;S. Tokita;and S.Sakabe;奥谷昌之
- 通讯作者:奥谷昌之
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Direct pattering of oxide films by surface discharge technique
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