Low-dimensional Electronic Order Formed at Artificial Perovskite Titanate Interfaces
人工钙钛矿钛酸盐界面形成的低维电子秩序
基本信息
- 批准号:22760021
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Atomic-scale studies on initial growth process of artificial perovskite titanate exhibiting a broad range of physical properties were carried out. Using a genuinely atomically-ordered single-crystal substrate, growth chemistry of thin-film oxides was elucidated by means of scanning tunneling microscopy. These results can provide significant insight into the improvement of device performances, leading to creation of higher-quality materials.
对具有多种物理性质的人工钙钛矿钛酸盐的初始生长过程进行了原子尺度的研究。利用真正原子有序的单晶衬底,用扫描隧道显微镜阐明了薄膜氧化物的生长化学。这些结果可以为器件性能的改进提供重要的见解,从而创造出更高质量的材料。
项目成果
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Simplified method to prepare atomically-ordered TiO_2(110)-(1×1) surfaces with steps and terraces
制备具有台阶和平台的原子有序TiO_2(110)-(1×1)表面的简化方法
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:清水亮太;大澤健男
- 通讯作者:大澤健男
Atomic-scale Imaging of Sub-monolayer Thin Film Growth Process on SrTiO_3(001)-(√13×√13)Surfaces
SrTiO_3(001)-(√13×√13)表面亚单层薄膜生长过程的原子尺度成像
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Ohsawa;K. Iwaya;R. Shimizu;T. Hitosugi
- 通讯作者:T. Hitosugi
SrTiO_3(001)-(√13×√13)再構成表面の作製と評価
SrTiO_3(001)-(√13×√13)重构表面的制备与评价
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:清水亮太;岩谷克也;大澤健男;長谷川哲也;橋詰富博;一杉太郎
- 通讯作者:一杉太郎
Atomically-Resolved Electronic States of TiO2-and SrO-terminated Surfaces of SrTiO_3
SrTiO_3 TiO2 和 SrO 封端表面的原子分辨电子态
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Iwaya;T. Ohsawa;R. Shimizu;T. Hashizume;T. Hitosugi
- 通讯作者:T. Hitosugi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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