Planar nanowire field-effect transistors using selective-area epitaxy on(110)

采用选择性区域外延的平面纳米线场效应晶体管(110)

• 批准号: 22760228
• 负责人: AKABORI Masashi
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760228/
• 关键词: 選択成長; (110); InAs; ナノワイヤ; 電界効果トランジスタ; -110; トランジスタ

We formed in-plane InAs nanowires using selective-area molecular beam epitaxy on GaAs(110) masked substrates with a certain condition. Moreover, we fabricated planar nanowire field-effect transistors by conventional lithography. We measured their output and transfer characteristics at room temperature, and magneto-conductivity at low temperatures. Maximum current and trans-conductance are 2. 3A/mm and 4. 9mS/mm, respectively, and spin-orbit coupling is observed.

在一定的条件下，利用选择区域分子束外延技术在GaAs（110）掩模衬底上生长了InAs面内纳米线。此外，我们制作平面纳米线场效应晶体管的传统光刻。我们测量了它们在室温下的输出和传输特性，以及在低温下的磁导率。最大电流和跨导为2。3A/mm和4. 9 mS/mm，并观察到自旋轨道耦合。

项目成果

Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors

在 GaAs (110) 掩模衬底上选择性区域分子束外延 InAs，用于直接制造平面纳米线场效应晶体管

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.009
• 发表时间: 2012
• 期刊: J.Crystal Growth
• 作者: M.Akabori;T.Murakami;S.Yamada
• 通讯作者: S.Yamada

Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates

InAs 纳米线在不同取向 GaAs 衬底上的选区分子束外延

• 发表时间: 2011
• 作者: M. Akabori;T. Murakami;and S. Yamada
• 通讯作者: and S. Yamada