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Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth

Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth
具有通过选择性区域生长形成的InAs纳米线/铁磁金属混合结构的自旋器件
批准号：
24560368
负责人：
AKABORI Masashi
金额：
$3.41万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560368/
关键词：
選択成長MBEInAsナノワイヤFETスピンMnAs

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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Suzuki, B. Barbiellini, Y. Orikasa, S. Kaprzyk, M. Itou, K. Yamamoto, Yung Jui Wang, H. Hafiz, Y. Uchimoto, A. Bansil, Y. Sakurai and H. Sakurai, 赤堀誠志]
通讯作者： 赤堀誠志
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori]
通讯作者： M. Akabori
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通讯作者： M. Akabori
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发表时间： 2013
期刊： AIP Conf. Proc.
影响因子： --
作者： [S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori and S. Yamada]
通讯作者： M. Akabori and S. Yamada
共 13 条
    Planar nanowire field-effect transistors using selective-area epitaxy on(110)
    国内基金
    海外基金
    硅基InAs/GaSb超晶格红外探测材料的MBE生长与特性研究
    二维拓扑绝缘体薄膜锡烯的MBE原位生长、表征及拓扑性质的调控
    • 批准号：
      12004099
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      宋业恒
    • 依托单位：
      河南大学
    LaMnO3/LaXO3超晶格L-MBE生长及应力和失配诱导的磁电耦合输运性能研究
    • 批准号：
      11904198
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      26.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      魏浩铭
    • 依托单位：
      曲阜师范大学
    硅基深紫外AlGaN量子点的MBE可控生长及超材料光学特性的研究