Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth

具有通过选择性区域生长形成的InAs纳米线/铁磁金属混合结构的自旋器件

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In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性
In(Ga)As基二维电子气纳米线中传导电子的自旋特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Suzuki;B. Barbiellini;Y. Orikasa;S. Kaprzyk;M. Itou;K. Yamamoto;Yung Jui Wang;H. Hafiz;Y. Uchimoto;A. Bansil;Y. Sakurai and H. Sakurai;赤堀誠志
  • 通讯作者:
    赤堀誠志
Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy
分子束外延在 GaAs(111)B 上生长 MnAs/InAs 的接触特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Md. E. Islam;C. T. Nguyen;M. Akabori
  • 通讯作者:
    M. Akabori
Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure
MnAs/InAs/GaAs(111)B异质结的分子束外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C. T. Nguyen;Md. E. Islam;M. Akabori
  • 通讯作者:
    M. Akabori
Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry
通过四端非局部几何验证从 CoFe 电极向 InGaAs 二维电子气的电自旋注入
  • DOI:
    10.1063/1.4848419
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Hidaka;T. Kondo;M. Akabori and S. Yamada
  • 通讯作者:
    M. Akabori and S. Yamada
GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性
GaAs(110)上选择性生长形成的InAs纳米线的电子传输特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    赤堀誠志;山田省二
  • 通讯作者:
    山田省二
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