Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth
具有通过选择性区域生长形成的InAs纳米线/铁磁金属混合结构的自旋器件
基本信息
- 批准号:24560368
- 负责人:
- 金额:$ 3.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性
In(Ga)As基二维电子气纳米线中传导电子的自旋特性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Suzuki;B. Barbiellini;Y. Orikasa;S. Kaprzyk;M. Itou;K. Yamamoto;Yung Jui Wang;H. Hafiz;Y. Uchimoto;A. Bansil;Y. Sakurai and H. Sakurai;赤堀誠志
- 通讯作者:赤堀誠志
Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy
分子束外延在 GaAs(111)B 上生长 MnAs/InAs 的接触特性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Md. E. Islam;C. T. Nguyen;M. Akabori
- 通讯作者:M. Akabori
Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure
MnAs/InAs/GaAs(111)B异质结的分子束外延生长
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C. T. Nguyen;Md. E. Islam;M. Akabori
- 通讯作者:M. Akabori
Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry
通过四端非局部几何验证从 CoFe 电极向 InGaAs 二维电子气的电自旋注入
- DOI:10.1063/1.4848419
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Hidaka;T. Kondo;M. Akabori and S. Yamada
- 通讯作者:M. Akabori and S. Yamada
GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性
GaAs(110)上选择性生长形成的InAs纳米线的电子传输特性
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:赤堀誠志;山田省二
- 通讯作者:山田省二
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$ 3.41万 - 项目类别:
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