Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth

具有通过选择性区域生长形成的InAs纳米线/铁磁金属混合结构的自旋器件

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性
In(Ga)As基二维电子气纳米线中传导电子的自旋特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Suzuki;B. Barbiellini;Y. Orikasa;S. Kaprzyk;M. Itou;K. Yamamoto;Yung Jui Wang;H. Hafiz;Y. Uchimoto;A. Bansil;Y. Sakurai and H. Sakurai;赤堀誠志
  • 通讯作者：
    赤堀誠志
Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy
分子束外延在 GaAs(111)B 上生长 MnAs/InAs 的接触特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Md. E. Islam;C. T. Nguyen;M. Akabori
  • 通讯作者：
    M. Akabori
Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure
MnAs/InAs/GaAs(111)B异质结的分子束外延生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    C. T. Nguyen;Md. E. Islam;M. Akabori
  • 通讯作者：
    M. Akabori
Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry
通过四端非局部几何验证从 CoFe 电极向 InGaAs 二维电子气的电自旋注入
  • DOI：
    10.1063/1.4848419
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    AIP Conf. Proc.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Hidaka;T. Kondo;M. Akabori and S. Yamada
  • 通讯作者：
    M. Akabori and S. Yamada
GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性
GaAs(110)上选择性生长形成的InAs纳米线的电子传输特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    赤堀誠志;山田省二
  • 通讯作者：
    山田省二
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

AKABORI Masashi其他文献

AKABORI Masashi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('AKABORI Masashi', 18)}}的其他基金

Planar nanowire field-effect transistors using selective-area epitaxy on(110)
采用选择性区域外延的平面纳米线场效应晶体管(110)
  • 批准号：
    22760228
  • 财政年份：
    2010
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似国自然基金

硅基InAs/GaSb超晶格红外探测材料的MBE生长与特性研究
  • 批准号：
    62104236
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    24.00 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
二维拓扑绝缘体薄膜锡烯的MBE原位生长、表征及拓扑性质的调控
  • 批准号：
    12004099
  • 批准年份：
    2020
  • 资助金额：
    24.0 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
LaMnO3/LaXO3超晶格L-MBE生长及应力和失配诱导的磁电耦合输运性能研究
  • 批准号：
    11904198
  • 批准年份：
    2019
  • 资助金额：
    26.0 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
硅基深紫外AlGaN量子点的MBE可控生长及超材料光学特性的研究
  • 批准号：
    61804163
  • 批准年份：
    2018
  • 资助金额：
    26.0 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
基于自支撑衬底的GaN基共振隧穿二极管结构设计和MBE生长研究
  • 批准号：
    61875224
  • 批准年份：
    2018
  • 资助金额：
    61.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN的MBE生长及其光伏器件研究
  • 批准号：
    61574161
  • 批准年份：
    2015
  • 资助金额：
    65.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
长链非编码RNA-uc002mbe.2介导的HDACi凋亡效应及其在肝癌中的作用
  • 批准号：
    81372634
  • 批准年份：
    2013
  • 资助金额：
    85.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
不同垒层厚度并掺杂的GaNAs基短周期超晶格太阳能电池与MBE生长研究
  • 批准号：
    61274134
  • 批准年份：
    2012
  • 资助金额：
    86.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
内嵌量子点三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge太阳电池材料的MBE生长及器件相关问题研究
  • 批准号：
    61176128
  • 批准年份：
    2011
  • 资助金额：
    62.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
原子层尺度上可控的铁电薄膜L-MBE制备及其光伏效应研究
  • 批准号：
    61076060
  • 批准年份：
    2010
  • 资助金额：
    38.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似海外基金

MBE-Sputtering-system for antiferromagnetic spintronic materials
用于反铁磁自旋电子材料的 MBE 溅射系统
  • 批准号：
    504979810
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Major Research Instrumentation
'Investigating the impact of Bismuth on the band gap engineering and morphological properties of III/V semiconductor materials grown using MBE'.
“研究铋对使用 MBE 生长的 III/V 半导体材料的带隙工程和形态特性的影响”。
  • 批准号：
    2602258
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Studentship
MBE-grown 1550-nm III-V quantum-dot materials and devices on Si substrate for Si photonic systems
用于硅光子系统的硅衬底上 MBE 生长的 1550 nm III-V 量子点材料和器件
  • 批准号：
    2433417
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Studentship
Integration of Sb-based III-V materials grown directly onto Silicon by MBE
通过 MBE 直接生长在硅上的 Sb 基 III-V 材料的集成
  • 批准号：
    2586325
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Studentship
Low vibration and low temperature closed-cycle cryostat for oxide MBE and laser-ARPES
用于氧化物 MBE 和激光 ARPES 的低振动和低温闭环低温恒温器
  • 批准号：
    RTI-2020-00634
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Research Tools and Instruments
Quantum transport phenomena of ferromagnetic two dimensional electron system by gas source MBE films
气源MBE薄膜铁磁二维电子系统的量子输运现象
  • 批准号：
    18H01878
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Molekularstrahlepitaxie-Anlage für Halbleiter-Filme (Halbleiter MBE)
半导体薄膜分子束外延系统（半导体MBE）
  • 批准号：
    399666531
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Major Research Instrumentation
MBE-LEEM: A UK facility for the ultimate control of complex epitaxy
MBE-LEEM：英国一家用于复杂外延最终控制的设施
  • 批准号：
    EP/P023452/1
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Research Grant
MBE growth of high quality single Quantum Dots.
高品质单量子点的 MBE 生长。
  • 批准号：
    1907564
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Studentship
Electrochemical Capacitance Voltage Profiler for MBE-grown novel quantum optoelectronic devices
用于 MBE 生长的新型量子光电器件的电化学电容电压分析仪
  • 批准号：
    RTI-2016-00068
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 3.41万
  • 项目类别：
    Research Tools and Instruments
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了