少数電荷分布イメージングの開発

少数电荷分布成像的发展

基本信息

  • 批准号:
    22654036
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.86万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

半導体微細化による電子デバイス性能向上の限界が近づいている現在、新しい材料によるデバイス開発が要求されている。ところが、これらのデバイスでは電極との接合や欠陥の影響がマクロな電気特性に影響を与える課題が指摘されているものの、そこでの電荷分布を高感度・高空間分解能で評価する装置がないという問題に直面している。本研究の目的は、単電子トランジスタや量子ポイントコンタクト素子が潜在的に持つ超高感度性と原子間力顕微鏡カンチレバーの高空間分解能を同時に利用した、新しい電荷分布イメージング用センサを開発することである。この開発は、現在まだ研究段階に止まっている有機半導体、カーボンナノチューブ、グラフェンなど新規材料による電子デバイス実用化の実現に向けた強力な計測装置になると期待できる。本年度は、金属コートカンチレバーと単電子トランジスタのゲート電極を結合させたシステムを開発した。被測定試料に交流電流を流した状態で、単電子トランジスタのソースードレイン電流を測定したところ、試料の電流に同期した周波数で、応答電流が観測された。これは、カンチレバー真下における試料の電荷状態を単電子トランジスタで読み取っていることを意味する。さらに、試料にわずかな直流電流を流した状態で同様の測定を行ったところ、単電子トランジスタからスパイク状のスイッチング電流が観測された。これは、試料中の少数個の電荷を検出していることを示している。
Semiconductor ultra-micronization model.the に よ る electronic デ バ イ ス performance の upward limit が nearly づ い て い る now, new し い material に よ る デ バ イ ス open 発 が requirements さ れ て い る. と こ ろ が, こ れ ら の デ バ イ ス で は electrode と の joint や owe 陥 の influence が マ ク ロ な electrical characteristics of 気 に を and え る subject が blame さ れ て い る も の の, そ こ で の charge distribution を Gao Gan degrees, high space decomposition can で review 価 す る device が な い と い う problem に face し て い る. は の purpose, this study 単 electronic ト ラ ン ジ ス タ や quantum ポ イ ン ト コ ン タ ク ト element child が potential に hold つ ultra-high sensitivity of と interatomic force 顕 micromirror カ ン チ レ バ ー の high space decomposition can を に at the same time using し た, new し い charge distribution イ メ ー ジ ン グ with セ ン サ を open 発 す る こ と で あ る. こ の open 発 は, now ま だ research Duan Jie に check ま っ て い る organic semiconductor, カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ, グ ラ フ ェ ン な ど new rules material に よ る electronic デ バ イ ス be in turn の be am に to け た powerful な measuring device に な る と expect で き る. This year は, metal コ ー ト カ ン チ レ バ ー と 単 electronic ト ラ ン ジ ス タ の ゲ ー ト electrode を combining さ せ た シ ス テ ム を open 発 し た. Tested sample に を alternating current to flow し た state で, 単 electronic ト ラ ン ジ ス タ の ソ ー ス ー ド レ イ ン current を determination し た と こ ろ, try the same period の current に し た cycle for で, 応 answer current が 観 measuring さ れ た. こ れ は, カ ン チ レ バ ー true under に お け る sample の charge state を 単 electronic ト ラ ン ジ ス タ で 読 み take っ て い る こ と を mean す る. さ ら に, try に わ ず か な を dc current flow し た state で with others in line の determination を っ た と こ ろ, 単 electronic ト ラ ン ジ ス タ か ら ス パ イ ク shape の ス イ ッ チ ン グ current が 観 measuring さ れ た. <s:1> れ, in the test material, the charge of a <s:1> few <s:1> items を検 gives off <s:1> て る る とを とを とを とを, indicating <s:1> て る る る.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Scanning nanoelectrometer based on a two-dimensional electron gas transistor with a probe-integrated gate electrode
基于带有探针集成栅电极的二维电子气晶体管的扫描纳静电计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Kawano;K. Ishibashi
  • 通讯作者:
    K. Ishibashi
グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング
石墨烯中的电势分布成像
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂井伸之;竹田隆一;金義信;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;Y.Kawano;Y.Kawano;河野行雄
  • 通讯作者:
    河野行雄
Scanning Electrometer : Mapping of Electric Potential and Its Fluctuation (Selected for SPOTLIGHTS : Editors' Choice)
扫描静电计:电势及其波动的绘图(入选焦点:编辑选择)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    坂井伸之;竹田隆一;金義信;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;Y.Kawano
  • 通讯作者:
    Y.Kawano
Spatial Mapping of Potential Fluctuation in GaAs/AlGaAs and Graphene by a Scanning Nanoelectrometer
利用扫描纳静电计绘制 GaAs/AlGaAs 和石墨烯电势涨落的空间图
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂井伸之;竹田隆一;金義信;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;坂井伸之;Y.Kawano;Y.Kawano;河野行雄;Y.Kawano
  • 通讯作者:
    Y.Kawano
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

河野 行雄其他文献

光波長計測のためのスパイラル型ブルズアイアンテナを有する光機械振動子の作製
用于光波长测量的带有螺旋牛眼天线的光机振荡器的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ペンエークウォン ケーマナット;割澤 伸一;菅谷 俊夫;橋本 将太;河野 行雄;米谷 玲皇
  • 通讯作者:
    米谷 玲皇
Semiconductor and Graphene Devices for Nanoscale Terahertz Imaging and Spectroscopy
用于纳米级太赫兹成像和光谱学的半导体和石墨烯器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Elarabi;Y. Yoshioka;M. Tsujimoto;Y. Nakagawa;and I. Kakeya;河野 行雄;Itsuhiro Kakeya and Huabing Wang;Yukio Kawano
  • 通讯作者:
    Yukio Kawano
カーボンナノチューブ量子ドットを用いた周波数可変テラヘルツ光子センシング(講演奨励賞受賞記念講演)
使用碳纳米管量子点的变频太赫兹光子传感(纪念鼓励奖演讲)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    布施 智子;河野 行雄;山口 智弘;青柳 克信;石橋 幸治;河野 行雄;河野 行雄;Yukio Kawano;河野 行雄;河野 行雄;河野 行雄
  • 通讯作者:
    河野 行雄
Highly sensitive and tunable terahertz-photon detector using carbonnanotube quantum dots
使用碳纳米管量子点的高灵敏度和可调谐太赫兹光子探测器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    布施 智子;河野 行雄;山口 智弘;青柳 克信;石橋 幸治;河野 行雄;河野 行雄;Yukio Kawano;河野 行雄;河野 行雄;河野 行雄;Yukio Kawano;Yukio Kawano
  • 通讯作者:
    Yukio Kawano
カーボンナノチューブ・グラフェンを用いたナノスケールテラヘルツ波デバイス・システム
使用碳纳米管和石墨烯的纳米级太赫兹波器件/系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    稲田 貴郁;橋本 修一;中村 俊博;水野 元博;河野 行雄
  • 通讯作者:
    河野 行雄

河野 行雄的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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超回折限界テラヘルツ・赤外偏光場の生成と軸方向選択的ナノ物性研究への応用展開
超衍射极限太赫兹/红外偏振场的产生及其在轴向选择性纳米物理性质研究中的应用
  • 批准号:
    24K01288
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
テラヘルツ・赤外光電場の3次元制御と階層的トポロジーを持つ物質のナノスケール分析
太赫兹/红外光电场的三维控制及分级拓扑材料的纳米级分析
  • 批准号:
    21H01746
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ノイズイメージング法による電荷揺らぎ非局所相関の探求
利用噪声成像方法探索电荷涨落的非局部相关性
  • 批准号:
    23654108
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
グラフェンのテラヘルツ物性開拓とデバイス応用展開
石墨烯太赫兹物理特性研究及器件应用开发
  • 批准号:
    22684014
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ物性開拓と単一光子検出器の開発
碳纳米管量子点太赫兹物理性质探索及单光子探测器研制
  • 批准号:
    18740176
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    16684007
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 1.86万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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  • 批准号:
    14740185
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 1.86万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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    00J09289
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    2000
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

ナノギャップシステムを用いた強磁性単電子トランジスタの開発
利用纳米间隙系统开发铁磁单电子晶体管
  • 批准号:
    14J08599
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    10J07824
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強磁性単電子トランジスタを用いたユニバーサルメモリに関する研究
铁磁单电子晶体管通用存储器的研究
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    08J09299
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    2008
  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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室温硅单电子晶体管的制作、电路应用与集成
  • 批准号:
    07J01966
  • 财政年份:
    2007
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    $ 1.86万
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ナノメカニカル・単電子トランジスタによるナノセンシング
使用纳米机械/单电子晶体管的纳米传感
  • 批准号:
    19360037
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
連結ドットをもつシリコン単電子トランジスタ
具有连接点的硅单电子晶体管
  • 批准号:
    03F03041
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
連結ドットをもつシリコン単電子トランジスタ
具有连接点的硅单电子晶体管
  • 批准号:
    03F00041
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強磁性単電子トランジスタ技術の研究開発
铁磁单电子晶体管技术研发
  • 批准号:
    14750042
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
核スピン検出用単電子トランジスタの試作
用于核自旋检测的单电子晶体管原型
  • 批准号:
    13875064
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
Bi系高温超伝導体における固有ジョセフソン接合を用いた単電子トランジスタの開発
利用Bi基高温超导体本征约瑟夫森结开发单电子晶体管
  • 批准号:
    12750292
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 1.86万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了